[发明专利]一种倒装LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片的制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的正面形成倒装LED结构；

刻蚀所述衬底的背面以形成图形化衬底；

对所述图形化衬底进行粗化工艺，以使所述图形化衬底的背面为粗糙表面。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，对所述图形化衬底进行粗化工艺的步骤包括：

在所述图形化衬底的背面形成金属层；

对所述金属层进行退火工艺，形成图形化的金属层；

以所述图形化的金属层为掩膜，对所述图形化衬底进行刻蚀工艺，以使所述图形化衬底的背面为粗糙表面；

去除所述图形化的金属层。

3.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述金属层的材质为Ag、Ti或Ni。

4.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度为100nm-10000nm。

5.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，对所述金属层进行退火工艺是在N2、O2或空气氛围中进行的，退火工艺的温度为400℃-700℃。

6.如权利要求2所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，对所述图形化衬底进行的刻蚀工艺为ICP刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述衬底的正面形成倒装LED结构的步骤包括：

在所述衬底上依次形成N型半导体层、多量子阱有源层和P型半导体层；

刻蚀所述N型半导体层、多量子阱有源层和P型半导体层，以形成暴露出所述N型半导体层的开口；

在所述开口中形成N型电极层，在所述P型半导体层上形成P型反射电极层；

在所述N型电极层和P型反射电极层部分表面形成绝缘层。

8.如权利要求1所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述衬底的正面形成倒装LED结构之后，刻蚀所述衬底的背面以形成图形化衬底之前，还包括对所述衬底进行减薄的步骤。

9.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括图形化衬底以及形成于所述图形化衬底正面的倒装LED结构，所述图形化衬底的背面为粗糙表面。

10.如权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED结构包括：

依次形成于所述图形化衬底正面的N型半导体层、多量子阱有源层和P型半导体层；

形成于多量子阱有源层和P型半导体层中的暴露出所述N型半导体层的开口；

形成于所述开口中的N型电极层，形成于所述P型半导体层上的P型反射电极层；以及、

形成于所述N型电极层和P型反射电极层部分表面的绝缘层。

11.如权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述图形化衬底的图形均匀排布在所述图形化衬底的背面。

12.如权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述图形化衬底的材质为蓝宝石。