[发明专利]一组应用于双大马士革金属互连工艺的光掩模

权利要求书

1.一组光掩模，应用于双大马士革金属互连工艺，其特征在于，所述一组光掩模包括沟槽光掩模和通孔光掩模；

其中，所述沟槽光掩模包括多组密集沟槽模块、半密集沟槽模块和孤立沟槽模块；所述通孔光掩模包括多组密集通孔模块、半密集通孔模块和孤立通孔模块。

2.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述沟槽光掩模上设置有至少一个沟槽套准标记，所述通孔光掩模上设置有至少一个通孔套准标记，所述沟槽套准标记与所述通孔套准标记的数量及位置相对应；

其中，所述沟槽光掩模与所述通孔光掩膜相互套准；且当所述沟槽光掩模与所述通孔光掩膜套准时，所述密集沟槽模块与所述密集通孔模块重叠，所述半密集沟槽模块与所述半密集通孔模块重叠，所述孤立沟槽模块与所述孤立通孔模块重叠。

3.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述密集沟槽模块包括至少三个沟槽，每个所述沟槽的宽度均为W_i，且相邻的两个所述沟槽的图形空间间距均为P；

其中，W_i的范围为W₀-30nm～W₀+30nm，W₀为双大马士革金属互连工艺的最小线宽。

4.如权利要求3所述的光掩模，其特征在于，所述半密集沟槽模块包括至少两个沟槽，每个所述沟槽的宽度均为W_j，且相邻的两个所述沟槽的图形空间间距均为n*P；

其中，W_j的范围为W₀-60nm～W₀+60nm，n为1～5间的任意值。

5.如权利要求3所述的光掩模，其特征在于，所述孤立沟槽模块包括至少一个沟槽，每个所述沟槽的宽度均为W_k；

且每个所述沟槽的两侧均设置有一空白区域，且该空白区域水平方向的宽度大于5W_k；

其中，W_k的范围为W₀-100nm～W₀+100nm。

6.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述密集通孔模块上设置至少3列通孔，每列所述通孔均设置有多个正方形通孔，且每列中相邻的两个正方形通孔的图形空间间距为P，相邻的两列通孔的图形空间间距为P；

所述正方形通孔的宽度为W_x；

其中，W_x的范围为W₀-30nm～W₀+30nm，W₀为双大马士革金属互连工艺的最小线宽。

7.如权利要求6所述的光掩模，其特征在于，所述半密集通孔模块上设置至少2列通孔，每列所述通孔均设置有多个矩形通孔，且每列中相邻的两个矩形通孔的图形空间间距为m*P，相邻的两列通孔的图形空间间距为n*P；

所述矩形通孔的宽度为W_y1，所述矩形通孔的长度为W_y2；

其中，W_y1的范围为W₀-60nm～W₀+60nm，W_y2为W_y1～5W_y1，n为1～5间的任意值，m为1～15间的任意值。

8.如权利要求6所述的光掩模，其特征在于，所述孤立通孔模块上设置至少一个矩形通孔，所述矩形通孔的宽度为W_z1，所述矩形通孔的长度为W_z2；

所述矩形通孔的四周设置有一空白区域，且该空白区域水平方向的宽度大于5W_z1，该空白区域垂直方向的宽度大于5W_z2；

其中，W_z1的范围为W₀-100nm～W₀+100nm，W_z2为W_z1～5W_z1。