[发明专利]燃烧式有害气体处理装置无效
申请号: | 201310081239.1 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN104046956A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 蔡孟修;曾伟庭;李建霖 | 申请(专利权)人: | 友荃科技实业股份有限公司;汉科系统科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;杨建君 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 燃烧 有害 气体 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种废气处理装置,特别是涉及一种燃烧式有害气体处理装置。
背景技术
半导体工业制程中利用化学气相沉积(CVD,ChemicalVapor Deposition)技术生成磊晶,原理是用反应气体于基材上沉积薄膜,制程中需使用全氟化物(PFCs)气体作为反应室的清洗用途(Chamber Clean),而在蚀刻(Etch)过程也有使用PFCs气体。
但半导体制程中使用的全氟化物(PFCs),如CF4、C2F6、NF3、SF6、CHF3及C3F8等,其F-C、F-S及F-N的分子键具有相当高的红外线吸收能力,为高温室效应气体,对温室效应的影响远高过CO2数倍,因此有愈来愈多国际组织管制PFCs气体的排放,及制定温室效应气体的减量计划。
目前处理PFCs气体较为成熟的技术有燃烧法(热处理法)、触媒热裂解及电浆破坏等。燃烧法是用燃烧头产生高温火焰去除污染物气体;触媒热裂解法是利用触媒分解PFCs气体;电浆破坏是利用高能量的电子将PFCs气体的化学键激发或打断,让PFCs气体转化。
其中燃烧法目前多是燃烧瓦斯(天然气,甲烷)产生火焰以去除PFCs气体,然而瓦斯燃烧后会产生出二氧化碳(CO2),二氧化碳也属于温室效应气体的一种,且瓦斯并不安定,在使用及储放上都需要多加留意,以免工安意外发生,因此利用瓦斯的燃烧法还是有克服的空间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减少温室效应气体产生的燃烧式有害气体处理装置。
本发明燃烧式有害气体处理装置,包含一个用于储存水液的储液槽,及一个与该储液槽相连接的燃烧单元。
该燃烧单元包括一个围绕出一个燃烧区的主管、一个用于将有害气体导入该主管的燃烧区的导引管、一个用于接受氢氧气体并朝该主管的燃烧区喷出氢氧焰的喷火头,及一个连通该主管并伸入该储液槽的水液内的排气管。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用于下技术措施进一步实现。
较佳地,前述的该燃烧式有害气体处理装置还包含一个用于产生氢氧气体的氢氧气产生器,该氢氧气产生器包括一个盛装有电解水的电解槽、多个间隔设置在该电解槽内并浸泡在电解水中的电极板、一个连通该喷火头与电解槽并将氢氧气体导引至该喷火头的氢氧管,及一个电连接所述电极板且用于对电解水通电而电解产生氢氧气体的供电源。
较佳地,前述的该燃烧式有害气体处理装置还包含一个洗涤单元,该洗涤单元包括一个在该主管与排气管末端间且朝该排气管内喷出水雾的第一喷雾件。
较佳地,前述的燃烧式有害气体处理装置,其中该燃烧单元还包括一个连通该储液槽的辅助排气管,及一个连通该排气管与辅助排气管的连接管,该连接管的一端是朝向该第一喷雾件,前述的该第一喷雾件由该排气管朝该连接管的轴向喷出水雾。
较佳地,前述的燃烧式有害气体处理装置,其中该辅助排气管具有一个与该储液槽连通的进口段、一个相反该进口段的出口段,及一个连接该进口段与出口段的中间段,且该出口段是朝远离该储液槽的方向渐缩,该连接管的两端分别连接在排气管与辅助排气管的进口段。
较佳地,前述的燃烧式有害气体处理装置,其中该洗涤单元还包括至少一个设置在该辅助排气管的中间段且朝该辅助排气管的中间段内喷出水雾的第二喷雾件。
本发明的有益效果在于:氢氧气体燃烧时,热值较瓦斯高,产生较高温的火焰,对有害气体的处理效率佳,且氢氧气体燃烧后产生的是水,更减少二氧化碳等温室气体的产生,相较燃烧瓦斯更为环保。
附图说明
图1是一示意图,说明本发明燃烧式有害气体处理装置的一较佳实施例。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
参阅图1,为本发明燃烧式有害气体处理装置的一较佳实施例,包含一储液槽2、一与该储液槽2相连接的燃烧单元3、一设置在该燃烧单元3上的洗涤单元4,及一产生氢氧气体的氢氧气产生器5。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的