[发明专利]一种去除溢料的溶液及除溢料的方法

说明书

技术领域

 本发明涉及一种去除集成电路封装过程中产生溢料的溶液及除溢料的方法，尤其涉及到一种去除塑封溢料（包括封装溢胶、硅油、蜡）的溶液及除溢料的方法。

背景技术

根据资料显示，90%以上的晶体管及70-80%的集成电路使用塑封材料封装。由于塑封模具加工尺寸的偏差较大和新模具随着使用过程的磨损而产生较大的尺寸偏差，导致塑封过程中塑封材料从模具间隙中溢出。此溢出的塑封材料称为溢料。溢料包括塑封材料和脱模剂。溢料在半导体器件的引脚和金属散热面上形成，覆盖或包裹在引脚和散热面上，影响成品的外观、可焊性和散热性。

传统的去毛刺的方法有以下几种：（1）机械方法。该方法是将细小的颗粒以一定的压力喷射到器件表面，靠机械摩擦力使溢料脱落。该方法的缺点是造成金属基材凹凸不平，容易使封装体毛糙。（2）有机溶剂软化。采用溶剂溶解树脂和脱模剂。该方法的缺点是对固化后的塑封材料不起作用，仅能溶解低分子量的树脂和脱模剂。（3）无机酸浸泡。使用无机酸腐蚀金属，使溢料与金属基材分离。该方法的缺点是腐蚀程度难管控，同时易造成基体过腐蚀以及金属基材上腐蚀不均匀。严重的溢料该方法几乎不能去除。（4）无机碱浸泡或电解。该方法的缺点是无机碱高温浸泡容易造成塑封体发生化学反应，使表面疏松、变色。电解容易造成塑封体与集成电路之间结合力下降，影响器件使用性能的稳定性。

有鉴于上述现有的去除溢料方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型去除溢料的溶液。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

 本发明的主要目的在于，克服现有的去除溢料的方法存在的缺陷，而提供一种新型去除溢料的溶液，所要解决的技术问题是高效的去除封装体表面溢料，不会腐蚀基材，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种去除溢料的溶液，所述溶液包含质量百分数为10-60%的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮，10-30% 的乙醇胺 ，10-60%的六甲基磷酰三胺，0-10%的去离子水。

前述的乙醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺。

前述溶液包含质量百分数为30%的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮， 30% 的单乙醇胺 ，35%的六甲基磷酰三胺，5%的去离子水。

去除溢料的方法，先用配置好的溶液腐蚀溢料下的金属，当溢料下的金属与溢料结合松动时采用机械方式去除溢料。

前述机械方式为高压水喷射方式。

借由上述技术方案，本发明去除溢料的溶液及除溢料的方法至少具有下列优点：

所有组分都能与水互溶，易清洗；弱碱性溶液，不会使封装后的胶体处理发生变色；使用温度高，可以在50-110℃范围内操作；可以处理严重溢料的产品，只需提高浸泡温度或延长浸泡时间；可以去除基材表面的氧化物，而对基材不会过度腐蚀。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例详细说明如后。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,对依据本发明提出的去除溢料的溶液及除溢料的方法其具体实施方式、特征及其功效，详细说明如后。

取质量百分数为30%的1,3-二甲基-2-咪唑烷酮， 30% 的单乙醇胺 ，35%的六甲基磷酰三胺和5%的去离子水混合制得去溢料溶液。

取配置好的溶液腐蚀溢料下的金属，当溢料下的金属与溢料结合松动时采用高压水喷射去除溢料。

上述如此结构构成的本发明去除溢料的溶液及除溢料的方法的技术创新，对于现今同行业的技术人员来说均具有许多可取之处，而确实具有技术进步性。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。