[发明专利]含有读/写电压产生器芯片的三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

一三维阵列芯片(30)，该三维阵列芯片(30)含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一读/写电压产生器芯片(40)，该读/写电压产生器芯片(40)含有至少一读/写电压产生器(41)，该读/写电压产生器(41)为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的读电压(V_R)；

所述三维阵列芯片(30)和所述读/写电压产生器芯片(40)为两个不同的芯片。

2.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

一三维阵列芯片(30)，该三维阵列芯片(30)含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一读/写电压产生器芯片(40)，该读/写电压产生器芯片(40)含有至少一读/写电压产生器(41)，该读/写电压产生器(41)为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的写电压(V_W)；

所述三维阵列芯片(30)和所述读/写电压产生器芯片(40)为两个不同的芯片。

3.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)，该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)分别含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一读/写电压产生器芯片(40)，该读/写电压产生器芯片(40)含有至少一读/写电压产生器(41)，该读/写电压产生器(41)为该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的读电压(V_R)；

所述第一、第二三维阵列芯片(30a, 30b)和所述读/写电压产生器芯片(40)为三个不同的芯片。

4.一种三维存储器(50)，其特征在于包括：

第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)，该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)分别含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；

一读/写电压产生器芯片(40)，该读/写电压产生器芯片(40)含有至少一读/写电压产生器(41)，该读/写电压产生器(41)为该第一和第二三维阵列芯片(30a, 30b)提供至少一与电源电压(V_DD)不同的写电压(V_W)；

所述第一、第二三维阵列芯片(30a, 30b)和所述读/写电压产生器芯片(40)为三个不同的芯片。

5.根据权利要求1－4所述的存储器，其特征还在于：该读/写电压产生器含有一直流－直流变换器（DC－DC converter）。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征还在于：该直流－直流变换器是电荷泵（charge pump）、Boost变换器（Boost converter）、低压降稳压器（low dropout）和Buck变换器（Buck converter）中的一种。

7.根据权利要求1－4所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器含有三维只读存储器（3D-ROM）或/和三维随机读取存储器（3D-RAM）。

8.根据权利要求1－4所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器含有memristor、resistive random-access memory（RRAM或ReRAM）、phase-change memory（PCM）、programmable metallization memory（PMM）和 conductive-bridging random-access memory（CBRAM）中的至少一种。

9.根据权利要求1－4所述的存储器，其特征还在于：所述三维存储器是存储卡、固态硬盘、多芯片封装和多芯片组件中的至少一种。

10.根据权利要求1－4所述的存储器，其特征还在于：所述三维阵列芯片的阵列效率大于40％。