[发明专利]一种原位分子印迹修饰电极对多环芳烃的光电化学分析方法

权利要求书

1.一种原位分子印迹修饰电极对多环芳烃的光电化学分析方法，其特征在于具体步骤如下：

(1) TiO₂ NTs电极的制备：

以钛片作为基底，将纯钛片依次用80^#，320^#和500^#砂纸打磨后使用金相砂纸对其表面进行抛光，使其表面平滑，接着在蒸馏水和丙酮中分别超声清洗15~20min，再用二次蒸馏水冲洗干净；然后将钛片在1:1稀释的浓盐酸中水浴微沸刻蚀10~15min，再在室温下以钛片作为阳极，Pt片电极作为阴极，维持电极间距1cm，在含有3~5wt%HF的水溶液中磁力搅拌下，恒电位20~30V阳极预氧化1h；将钛片取出，冲洗干净并常温干燥后，置于含有0.25wt%NH₄F，1wt%H₂O的乙二醇溶液中磁力搅拌下恒电位20~30V阳极氧化2~3h，即在Ti基底上刻蚀成TiO₂纳米管；取出刻蚀有TiO₂纳米管的Ti基底用二次蒸馏水超声清洗并干燥后，置于管式炉中在氧气气氛中450~500℃热处理3~5h，制备得到Ti基底上稳定生长的TiO₂纳米管；即为TiO₂ NTs；

(2)制备工作电极：采用晶种诱导-水热合成的方法，首先用溶胶-凝胶的方法将一定浓度的Zn(CH₃COO)₂乙醇溶液旋涂在步骤(1)得到的TiO₂ NTs基底表面，每次先以100~300rpm的转速旋转3s，再以3000rpm旋转10~20s，共重复8~10次；然后在马弗炉中，正面向上，350~400℃热解0.5~1h，获得ZnO晶种层；然后将基体正面向下放置在特氟龙内衬的高压反应釜内，浸入成分为0.02mol L^-1 Zn(NO₃)₂、0.02mol L^-1 (CH₂)₆N₄和0.4~1mmol L^-1印迹分子的前躯体溶液中，80~90℃下反应3~7h；取出电极后用去离子水洗涤并常温干燥，在磁力搅拌下分别用乙醇和丙酮交替清洗电极并如此重复3次以去除印迹分子，常温干燥后得到原位PAHs分子印迹的ZnO NRsTiO₂NTs电极；

(3)选用不同种类的PAHs作为检测对象，将配制的一系列不同浓度的PAHs的0.1M Na₂SO₄标准溶液依次分别加入到电解池中作为电解液，以所制备的分子印迹的ZnO NRsTiO₂ NTs电极为工作电极，搅拌10分钟后，静置；采用i-t曲线的方法，在紫外光照射下，施加偏压0.6V，测定光电流，根据光电流与标准溶液浓度的线性关系绘制工作曲线，每次测定后将电解池中的工作电极在乙醇和丙酮中交替搅拌洗涤3次，去除吸附的印迹分子，实现电极表面的再生和更新。

2.据权利要求1所述的方法，其特征在于所述PAHs为常以气态共存的多环芳烃萘和芘，分别具有两个芳香环和四个芳香环。