[发明专利]金属栅阻挡层针孔的检测方法有效
| 申请号： | 201310077026.1 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104051291A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 阻挡 针孔 检测 方法 | ||
1.一种金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
1）提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成氧化层、金属栅功函数层及金属栅阻挡层，以形成测试结构；
2）用SC1溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；
3）然后再用氢氟酸溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层；
4）在电镜下观测经上述两步获得的测试结构中的氧化层中是否有腐蚀出的大孔洞以确定所述金属栅阻挡层中是否有针孔。
2.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述金属栅功函数层的材料为TiN。
3.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述金属栅阻挡层的材料位TaN。
4.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述金属栅功函数层的厚度范围是0.5~5nm。
5.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述金属栅阻挡层的厚度范围是0.5~5nm。
6.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述SC1溶液的温度范围是25~60 ℃。
7.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述SC1溶液接触所述测试结构中的金属栅阻挡层的时间不长于2 min。
8.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述SC1溶液的温度为30 ℃，接触所述测试结构中的金属栅阻挡层的时间为1 min。
9.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述金属栅阻挡层采用原子层淀积法形成。
10.根据权利要求1所述的金属栅阻挡层针孔的检测方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液的体积配比为H2O:HF=100:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
