[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种氧化物半导体的薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

液晶显示器主要由薄膜晶体管基板、彩色滤光片基板及位于两基板间的液晶分子层所构成。薄膜晶体管基板上配置多个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管主要由栅极、栅介电层、半导体层、源极及漏极所组成。半导体层的材料例如可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体、氧化物半导体或其它合适的材料。

然而，相较于非晶硅薄膜晶体管，氧化物半导体薄膜晶体管具有较高的载子迁移率(Mobility)，而拥有较佳的电性表现。而氧化物半导体通常需再进行退火制程，才能够使薄膜晶体管的电性表现稳定。一般而言，退火制程的温度需高于350℃以上。

但于进行退火制程中，若有金属暴露在高温炉中，将导致金属氧化，使得阻抗升高，而严重影响信号传输。有鉴于此，亟需一种改良的薄膜晶体管的制造方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法，其能够于进行退火制程时，避免源极及漏极氧化而导致阻抗升高的问题。

本发明的一态样为提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。

根据本发明一实施方式，更包含于形成氧化物半导体层步骤后，进行一退火步骤。

根据本发明一实施方式，提供栅介电层步骤是于提供源极及漏极步骤前进行。

根据本发明一实施方式，提供栅介电层步骤是于提供源极及漏极步骤后进行。  

根据本发明一实施方式，形成图形绝缘层步骤包含：形成一绝缘层全面覆盖源极及漏极；于绝缘层中形成至少一开口暴露出源极的该部分及漏极的该部分。

根据本发明一实施方式，形成图形绝缘层步骤包含：形成一绝缘层全面覆盖源极及漏极；于绝缘层中形成一第一开口及一第二开口分别露出源极的该部分及该漏极的该部分。

本发明的另一态样为提供一种薄膜晶体管，其包含源极及漏极、图形绝缘层、氧化物半导体层、栅极与栅介电层。图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，其中图形绝缘层具有至少一开口露出一部分源极及一部分漏极。氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。栅介电层位于氧化物半导体层与栅极之间。 

根据本发明一实施方式，开口大致对准栅极。  

根据本发明一实施方式，图形绝缘层只具有一开口，该开口的长度大于源极及漏极的一间距。  

根据本发明一实施方式，栅介电层位于源极及漏极之下。 

根据本发明一实施方式，开口包含一第一开口及一第二开口分别露出源极的该部分及漏极的该部分。

根据本发明一实施方式，栅介电层位于源极及漏极之上。

本发明的实施方式是先形成一图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，再依序形成氧化物半导体层接触暴露出的部分源极及部分漏极，以及进行退火制程。如此一来，在进行退火制程时，源极及漏极被图形绝缘层及氧化物半导体层所覆盖而完全未露出，故可避免源极及漏极发生氧化。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式说明如下：

图1是显示本发明一实施方式的薄膜晶体管基板的制造方法的流程图。

图2A是显示依照本发明一实施方式的薄膜晶体管基板的上视示意图。

图2B是显示沿图2A的2B-2B'线段的薄膜晶体管的剖面示意图。

图3是显示依照本发明另一实施方式的薄膜晶体管的剖面示意图。

图4是显示依照本发明又一实施方式的薄膜晶体管的剖面示意图。

【主要组件符号说明】

10、20、30、40、50、60、70、80、90步骤

110基材

120栅极

130栅介电层

140a源极

140b漏极

150图形绝缘层

150'开口

150'a第一开口

150'b第二开口

160氧化物半导体

170保护层

170'接触孔

180透明电极

d开口长度

d1第一开口的长度

d2第二开口的长度

DL数据线

L源极及漏极的间距

SL扫描线