[发明专利]一种晶闸管芯片制备方法有效
| 申请号： | 201310075823.6 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103151263A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 项卫光;张德明;李有康;李晓明;徐伟 | 申请（专利权）人： | 浙江正邦电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 柯利进 |
| 地址： | 321400 浙江省丽水市缙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶闸管 芯片 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1..一种晶闸管芯片制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
（1）常规方法清洗硅片；
（2）在硅片选定做对通扩散的区域内，用光刻和腐蚀的方法两面对称的腐蚀挖槽，
其挖槽宽60-300微米、深20-120微米；
（3）在挖槽的硅片双面蒸铝，铝层厚度0.3-3微米；
（4）将挖槽内有铝层的硅片放在扩散炉内预扩散，温度600-1200℃，时间1-20小时；
（5）将预扩散后的硅片双面抛光，单面去除厚度5-15微米；
（6）将抛光硅片在扩散炉内进行铝对通再扩散，温度1200-1250℃、时间10-50小时，形成铝对通隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
