[发明专利]晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件无效
申请号: | 201310075631.5 | 申请日: | 2013-03-11 |
公开(公告)号: | CN103137758A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 茅静;全鹏;徐建美 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 薄膜 电池 合成 双面 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
目前,太阳能发电技术作为一种清洁可再生能源,应用范围非常广阔,特别是与建 筑结合的太阳能光伏建筑一体化技术和太阳能屋顶电站,作为解决城市能源供应问题的重要途径,受到越来越多的重视。太阳能屋顶电站是指在建筑上安装太阳能电站,仅限于将太阳能电池组件放置于建筑屋面上,由于城市建筑多为髙层建筑,屋顶面积有限,导致太阳能屋顶电站应用有限。而光伏建筑一体化技术可以通过将太阳能电池组件加工为建筑构件,丰富了太阳能应用形式,但是由于受到安装角度限制,不能发挥太阳能电池的最大效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种可双面接受光照发电,不受安装方向的限制,从而发挥太阳能电池组件最大效率的晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件,它包括玻璃、晶硅太阳能电池片组和两层EVA胶膜层,还包括薄膜电池和背板玻璃,所述的玻璃、一层EVA胶膜层、晶硅太阳能电池片组、另一层EVA胶膜层、薄膜电池和背板玻璃由上至下依次层压在一起。
进一步,所述的晶硅太阳能电池片组由若干互相串联或并联的晶硅太阳能电池片组成。
更进一步,所述的玻璃的两侧面分别安装有晶硅太阳能电池接线盒和薄膜电池接线盒,所述的晶硅太阳能电池片组之间通过汇流条连接至晶硅太阳能电池接线盒内,所述的薄膜电池通过连接线连接至薄膜电池接线盒内。
采用了上述技术方案后,本太阳能电池组件的两面都可以接受光照发电,提升发电量,薄膜电池可以透过组件正面的阳光,经地面反射到薄膜电池面发电,而且薄膜电池相对晶体硅的成本很低,厚度不到1μm,不足晶体硅太阳电池厚度的1/100,本太阳能电池组件的转换率、发电量和效率比单一电池的组件高,如果两面发电效率一致,垂直安装不受安装方向的限制,可以用于某些特殊场合。
附图说明
图1为本发明的晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件的结构剖视图;
图2为图1的俯视图;
图3为图1的仰视图;
图4为本发明的双面太阳能电池组件的安装示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,
如图1~4所示,一种晶硅太阳能电池和薄膜电池合成的双面太阳能电池组件,它包括玻璃1、晶硅太阳能电池片组2和两层EVA胶膜层3,还包括薄膜电池4和背板玻璃5,玻璃1、一层EVA胶膜层3、晶硅太阳能电池片组2、另一层EVA胶膜层3、薄膜电池4和背板玻璃5由上至下依次层压在一起。
晶硅太阳能电池片组2由若干互相串联或并联的晶硅太阳能电池片组成。
如图2~4所示,玻璃1的两侧面分别安装有晶硅太阳能电池接线盒6和薄膜电池接线盒7,晶硅太阳能电池片组2之间通过汇流条连接至晶硅太阳能电池接线6内,所述的薄膜电池4通过连接线连接至薄膜电池接线盒7内,多个晶硅太阳能电池接线盒7可以采用第一连接电缆9串联在一起,多个薄膜电池接线盒也可以采用第二连接电缆10串联在一起。
本太阳能电池组件的两面都可以接受光照发电,提升发电量,薄膜电池4可以透过组件正面的阳光,经地面反射到薄膜电池面发电,而且薄膜电池4相对晶体硅的成本很低,厚度不到1μm,不足晶体硅太阳电池厚度的1/100,本太阳能电池组件的转换率、发电量和效率比单一电池的组件高,如果两面发电效率一致,垂直安装不受安装方向的限制,可以用于某些特殊场合。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的