[发明专利]液处理装置有效
申请号: | 201310075206.6 | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN103311155A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 江头浩司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种水平保持基板地进行液处理的液处理装置。
背景技术
在半导体产品的制造工艺、平板显示器(FPD)的制造工艺中,多使用向作为被处理基板的半导体晶圆、玻璃基板供给处理液而进行液处理的工艺。作为这样的工艺,例如,有用于去除已附着在基板上的微粒、污垢(日文:コンタミネーション)等的清洗处理等。
作为用于实施清洗处理的液处理装置,公知有在将半导体晶圆等基板保持在旋转卡盘上并在使晶圆水平旋转的状态下向晶圆的表面供给处理液(药液、冲洗液等)而进行清洗处理的单片式的旋转清洗装置(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平6-232109号公报
然而,在使晶圆旋转时,空气会因晶圆的旋转而从形成在晶圆的下表面与旋转卡盘之间的空间向晶圆W的径向周围排出,从而使该空间的压力降低。由此,存在晶圆挠曲或破损这样的问题。
对此,在专利文献1所示的处理装置中,向晶圆的下表面与旋转卡盘之间的空间供给N2气体。在该情况下,会存在因使用N2气体而导致运行成本增大这样的问题。尤其是,在晶圆的尺寸较大的情况下,向晶圆的下表面的空间供给的N2气体的供给量会增大,从而运行成本会与此相对应地进一步增加。
发明内容
本发明是考虑这一点而提出的,其目的在于提供一种能够以低运行成本来防止基板的挠曲和破损的液处理装置。
本发明提供一种液处理装置,其特征在于,该液处理装置包括:基板保持部,其能旋转,用于与基板分开地从下方水平保持基板;旋转驱动部,其用于驱动上述基板保持部而使上述基板保持部旋转;喷嘴,其用于对由上述基板保持部保持着的上述基板供给处理液;空气供给部,其设于由上述基板保持部保持着的上述基板的上方,用于朝向该基板供给空气;空气供给路径,其具有用于吸引自上述空气供给部供给来的空气的吸引口,该空气供给路径用于向形成在由该基板保持部保持着的该基板的下表面与该基板保持部之间的基板下方空间供给自上述吸引口吸引来的空气。
采用本发明的液处理装置,能够以低运行成本来防止基板的挠曲和破损。
附图说明
图1是表示从上方看包含本实施方式的液处理装置的液处理系统的俯视图。
图2是表示图1的液处理系统中的液处理装置的侧剖视图。
图3是表示图2所示的液处理装置中的基板保持部和位于该基板保持部周边的构成要件的纵剖视图,是表示升降筒构件处于下降位置的状态的纵剖视图。
图4是表示保持着晶圆的基板保持部的俯视图。
图5是表示图2所示的液处理装置中的基板保持部和位于该基板保持部的周边的构成要件的纵剖视图,是表示升降筒构件处于上升位置的状态的纵剖视图。
图6是表示旋转驱动部的旋转轴与升降筒构件间的连结部分的详细结构的图。
图7是表示本实施方式的液处理方法的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。另外,在本说明书附带的附图中,为了便于图示和易于理解,对实物按比例进行了适当的缩小或夸张地改变了实物的纵横尺寸比例等。
首先,使用图1说明包括本发明的实施方式的液处理装置的液处理系统。
如图1所示,液处理系统100包括:载置台101,其用于载置承载件,该承载件收容有从外部输入的作为被处理基板的半导体晶圆等基板(以下,称为晶圆W);输送臂102,其用于取出被收容在承载件中的晶圆W;架单元103,其用于载置由输送臂102取出的晶圆W;以及输送臂104,其用于接收被载置在架单元103上的晶圆W并将该晶圆W输送到液处理装置10内。如图1所示,在液处理系统100中设有多个(在图1所示的形态中是8个)液处理装置10。
另外,在各液处理装置10的侧壁上设有开口11,该开口11用于利用输送臂104将晶圆W输入到液处理室20内或者将晶圆W自液处理室20输出。在该开口11处设有用于开闭该开口11的闸门(日文:シャッタ)12。
接下来,使用图2和图3说明本实施方式的液处理装置10的概略结构。
如图2所示,本实施方式的液处理装置10包括:液处理室20,其用于收容晶圆W并对该收容后的晶圆W进行液处理;以及空气罩(日文:エアフード)80,其设于液处理室20的上方,用于以下降流(日文:ダウンフロー)方式将清洁的空气供给到该液处理室20内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造