[发明专利]一种重掺杂硼硅片的再分布方法

权利要求书

1.一种重掺杂硼硅片的再分布方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；

2）将石英腔体抽真空，再通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；

3）开启电源，通过电极片在空间中施加电场，然后开通射频电源，通过自动匹配器实现负载匹配，让感应线圈产生高频变化的磁场；

4）打开温度传感器，利用温度传感器的温度指示，调节输入功率达到要求的温度，对重掺杂硼硅片进行加热，开始再分布过程；

5）为确保操作人员安全，电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳，在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启，以实时监测场强大小，使其在相关规定的范围内。

2.如权利要求1所述一种重掺杂硼硅片的再分布方法，其特征在于在步骤2）中，所述气体采用为增强氧化而需要的氧气，或为了保护而需要的氩气或氮气。

3.如权利要求1所述一种重掺杂硼硅片的再分布方法，其特征在于在步骤3）中，所述施加电场是施加10⁶V/cm的电场。

4.如权利要求1所述一种重掺杂硼硅片的再分布方法，其特征在于在步骤4）中，所述调节输入功率达到要求的温度是根据需要的再分布温度调节输入功率达到要求的温度，所述再分布温度为1200℃。