[发明专利]固态成像装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201310074110.8 | 申请日: | 2010-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN103227182B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 高桥洋 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/353;H04N5/359;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种固态成像装置的制造方法,包括以下步骤:
在第一衬底上形成光电转换部和被形成为从该第一衬底表面露出的连接电极,所述光电转换部用于生成并蓄积对应于入射光的信号电荷,
在所述第一衬底或者第二衬底上形成用于蓄积从所述光电转换部传输的信号电荷的电荷蓄积电容部;
在所述第二衬底上形成多个MOS晶体管和被形成为从该第二衬底表面露出的连接电极,所述MOS晶体管用于顺序传输所述电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷;以及
在所述第二衬底上部的光入射侧贴合所述第一衬底,使得在所述第二衬底表面上露出的所述连接电极和在所述第一衬底表面上露出的所述连接电极电连接。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置的制造方法,其中,
通过在形成连接电极之后,形成粘结剂层以使该粘结剂层覆盖所述连接电极,对所述粘结剂层进行蚀刻,由此使得所述第一衬底和所述第二衬底的各自的连接电极从表面露出,
通过在对在所述第一衬底和所述第二衬底表面露出的各自的连接配线表面进行激活之后进行压接,来进行所述第一衬底和所述第二衬底的贴合。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置的制造方法,其中,
通过形成介电体层和夹持所述介电体层形成的两个配线层,来形成所述电荷蓄积电容部。
4.根据权利要求2所述的固态成像装置的制造方法,其中,
通过在构成所述第二衬底的半导体衬底形成沟槽部,在所述沟槽部内表面形成第一电极层,在形成所述第一电极层的沟槽部内经由介电体层形成第二电极层,形成所述电荷蓄积电容部。
5.一种固态成像装置的驱动方法,其中,
所述固态成像装置包括:多个像素,所述像素包括:形成在第一衬底的光电转换部,该光电转换部用于生成并蓄积对应于入射光的信号电荷;形成在所述第一衬底或者第二衬底的电荷蓄积电容部,该电荷蓄积电容部蓄积从所述光电转换部传输的信号电荷;以及形成在所述第二基板的多个MOS晶体管,该MOS晶体管用于传输电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷;
形成在所述第一衬底的连接电极;以及
形成在所述第二衬底的连接电极,其与形成在所述第一衬底的连接电极电连接,
在该固态成像装置的驱动方法中,包括以下步骤:
在全部像素上同时刻地开始所述光电转换部中的信号电荷的蓄积;
在全部像素上同时刻地将在所述光电转换部中蓄积的信号电荷传输给所述电荷蓄积电容部,
针对每个像素,经由MOS晶体管顺序传输所述电荷蓄积电容部所蓄积的信号电荷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310074110.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





