[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号: | 201310073566.2 | 申请日: | 2013-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN104037355A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;钟铁涛;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
| 地址: | 518052 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠结合的透光衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层,所述有机功能层包括在外加电源的驱动下发光的发光层,其特征在于:在所述阴极层外表面还层叠结合有依次交替层叠结合的有机物阻挡层和无机物阻挡层,所述无机物阻挡层材料包括互相掺杂的硒化物、氮化物和硼化物;所述硒化物占无机物阻挡层材料总重量的重量百分比为10%~30%,所述硼化物占无机物阻挡层材料总重量的重量百分比为10%~30%;所述硒化物为Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2或Cu2Se,所述氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN,所述硼化物为AlB2、LaB6、VB2、NbB、TiB2或MoB。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述有机物阻挡层材料包括互相掺杂的空穴传输材料和电子传输材料,其中,所述空穴传输材料占有机物阻挡层材料总摩尔百分数的40%~60%。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N’-二(α-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-二胺、1,1-二((4-N,N’-二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯中的至少一种。
4.如权利要求2所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述电子传输材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)铝、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑中的至少一种。
5.如权利要求1~4任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述有机物阻挡层的厚度为200nm~300nm,所述无机物阻挡层的厚度为100nm~150nm。
6.如权利要求1~4任一项所述的有机电致发光器件,其特征在于:所述有机物阻挡层和无机物阻挡层的交替层叠的次数为4~6次。
7.一种有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
在真空镀膜系统中,将所述有机物阻挡层材料蒸镀在阴极层外表面制作有机物功能层;
在真空体系中,将所述无机物阻挡层材料磁控溅射在所述有机功能层外表面制作无机所述阻挡层;
依次在所述无机物阻挡层外表面进行重复制备所述有机功能层和无机物阻挡层的步骤;
其中,在制备所述无机物阻挡层步骤中的所述无机物阻挡层材料包括互相掺杂的硒化物、氮化物和硼化物;所述硒化物占无机物阻挡层材料总重量的重量百分比为10%~30%,所述硼化物占无机物阻挡层材料总重量的重量百分比为10%~30%所述硒化物为Sb2Se3、MoSe2、Bi2Se3、NbSe2、TaSe2或Cu2Se,所述氮化物为Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN,所述硼化物为AlB2、LaB6、VB2、NbB、TiB2或MoB。
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:在制备所述有机物功能层的步骤中,所述蒸镀时的真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa,所述有机物阻挡层材料蒸发速度为
在制备所述无机物阻挡层的步骤中,所述磁控溅射中的本底真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





