[发明专利]MCU的测试方法和系统有效

专利信息
申请号: 201310073380.7 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN104035023A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 朱龙钦 申请(专利权)人: 上海宏测半导体科技有限公司
主分类号: G01R31/3181 分类号: G01R31/3181
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 201114 上海市闵行区浦江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: mcu 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种MCU的测试方法,其特征在于,包含以下步骤:

A.根据MCU的测试原理,做好测试前准备,包含:编辑测试程序;其中,所述测试程序中穷举所有的功能,生成测试矢量;

B.执行测试矢量,对MCU芯片的各个管脚进行开短路测试;

C.对通过所述开短路测试的MCU芯片,如果没有烧写过频率,则进入内置RC振荡(IRC)测试模式,进行频率校准,执行测试矢量之后,用TMU测试测量频率输出端(P12)的频率,根据所述测得的频率算出校验(MM)值;其中,所述测试矢量中包含所述MM值;

D.将电源电压(VDD)、高压引脚电压(VPP)和输入高电压(VIH)的电压调整到5伏,将根据所述频率输出端测得的频率算出的MM值代入测试矢量,执行所述测试矢量之后,测量所述频率输出端的频率;如果测得的频率不在预设的门限内,则判定所述MCU为不合格。

2.根据权利要求1所述的MCU的测试方法,其特征在于,在所述步骤C中,循环执行测试矢量8次,保存最后一次的MM值;

其中,所述测试矢量中第一次MM值为0b10000000,后面7次的MM值为根据前一次测得的频率算出来的值;

在循环执行测试矢量的过程不掉电。

3.根据权利要求1或2所述的MCU的测试方法,其特征在于,在根据所述测得的频率算出MM值的步骤中,采用二分法计算MM值。

4.根据权利要求1或2所述的MCU的测试方法,其特征在于,在所述步骤A中,在所述MCU芯片的电源管脚(VDD)和芯片的接地管脚(GND)之间连接电容。

5.根据权利要求1或2所述的MCU的测试方法,其特征在于,在所述步骤A中,包含以下子步骤:

根据MCU测试原理,设计并制造测试负载板和被测器件(DUT)接口;

根据MCU的测试规范,在测试平台上编辑测试程序;

根据探针卡脚位定义,焊接连线到所述DUT接口;

连接好所述测试负载板和所述被测器件,并准备好MCU晶圆和探针卡连接。

6.根据权利要求5所述的MCU的测试方法,其特征在于,所述DUT接口设置在所述探针卡上,所述探针卡脚位预先与所述DUT接口连接。

7.一种MCU的测试系统,其特征在于,包含:测试平台、测试负载板、被测器件DUT接口、探针卡;所述测试平台连接所述测试负载板,所述测试负载板连接所述被测器件接口,所述被测器件接口连接所述探针卡,所述探针卡连接所述MCU的晶圆;

其中,在所述测试平台上编辑测试程序,所述测试程序中穷举所有的功能,生成测试矢量;

所述测试平台执行测试矢量,对MCU芯片的各个管脚进行开短路测试;并对通过所述开短路测试的MCU芯片,在没有烧写过频率时,进入内置RC振荡(IRC)测试模式,进行频率校准,执行测试矢量之后,用TMU测试测量频率输出端(P12)的频率,根据所述测得的频率算出校验(MM)值;其中,所述测试矢量中包含所述MM值;还将电源电压(VDD)、高压引脚电压(VPP)和输入高电压(VIH)的电压调整到5伏,将根据所述频率输出端测得的频率算出的MM值代入测试矢量,执行所述测试矢量之后,测量所述频率输出端的频率;并在测得的频率不在预设的门限内时,判定所述MCU为不合格。

8.根据权利要求7所述的MCU的测试系统,其特征在于,所述测试平台在执行测试矢量,用TMU测试测量频率输出端(P12)的频率,根据所述测得的频率算出MM值的过程中,循环执行测试矢量8次,保存最后一次的MM值;

其中,所述测试矢量中第一次MM值为0b10000000,后面7次的MM值为根据前一次测得的频率算出来的值;

在循环执行测试矢量的过程不掉电。

9.根据权利要求7或8所述的MCU的测试系统,其特征在于,在所述负载板上,在所述MCU芯片的电源管脚(VDD)和芯片的接地管脚(GND)之间连接电容。

10.根据权利要求5所述的MCU的测试系统,其特征在于,所述DUT接口设置在所述探针卡上,所述探针卡脚位预先与所述DUT接口连接。

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