[发明专利]一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法无效
| 申请号： | 201310073350.6 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103266294A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 季泳;张龚磊 | 申请（专利权）人： | 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 |
| 主分类号： | C23C4/12 | 分类号： | C23C4/12;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550004 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hem 晶体生长 重复使用 坩埚 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，其特征在于：它包含以下步骤：
（1）、利用喷砂机对钼坩埚进行喷砂处理，去除钼坩埚表面的涂层；
（2）、处理后，将钼坩埚清洗烘干；
（3）、对钼坩埚进行熔射，使用喷枪设备以金属钨粉、钨丝、含量35%钨的钨钼合金丝或碳粉为喷涂材料对钼坩埚进行喷涂，直至钼坩埚表面形成一层厚度为0.1-1mm的涂层；
（4）、熔射后进行打磨，使钼坩埚表面粗糙度达到3.2；
（5）、晶体生长完成后，利用热涨冷缩原理，加热后取出晶体，重复以上步骤。
2.根据权利要求1所述的在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，其特征在于：所述的喷枪设备包括氢气喷枪、直流等离子喷枪、交流等离子喷枪和射频等离子喷枪。
3.根据权利要求1所述的在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，其特征在于：所述打磨过程采用1000号砂纸进行打磨。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
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