[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，其包括：一基板，所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层（U-GaN）及N型氮化镓层（N-GaN），并在所述N型氮化镓层（N-GaN）的预设段落结合有多层量子井（MQWS），在所述多层量子井（MQWS）上方另结合一P型氮化镓层（P-GaN），在所述P型氮化镓层（P-GaN）上结合有透明导电层及反射层；

其特征在于：一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上，并延伸至所述N型氮化镓层（N-GaN）处；

所述绝缘层将所述P型氮化镓层（P-GaN）及所述多层量子井（MQWS）作包覆，在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔，在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极，并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极，并通过所述透孔数量的多寡来调整电流；所述N电极经过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层（N-GaN）形成一N接触电极，所述P电极经过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层（P-GaN）形成一P接触电极。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述发光元件中的N电极和P电极结合在所述绝缘层上方的两旁，能延伸至所述N型氮化镓层（N-GaN）或所述基板，其延伸面积越大越有利于固晶时的黏着度。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述导电金属材料为铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、金（Au）。

4.一种发光元件，其包括：一基板，所述基板上结合有两旁呈倾斜而上的U型氮化镓层（U-GaN）及N型氮化镓层（N-GaN），并在所述N型氮化镓层（N-GaN）的预设段落结合有多层量子井（MQWS），在所述多层量子井（MQWS）上方另结合一P型氮化镓层（P-GaN），而在所述P型氮化镓层（P-GaN）上结合有透明导电层及反射层；

其特征在于：一预设厚度的绝缘层覆设在所述透明导电层及反射层上，并延伸至所述U型氮化镓层（U-GaN）处；

所述绝缘层将所述P型氮化镓层（P-GaN）及所述多层量子井（MQWS）包覆，在所述绝缘层的两旁预设部位各形成多个透孔，而在所述绝缘层的上方两旁则各结合有N电极和P电极，并将相应部位的多个所述透孔利用导电金属材料导通N电极和P电极，及利用所述透孔数量的多寡来调整电流；所述N电极通过相应的多个所述透孔和所述N型氮化镓层（N-GaN）形成一N接触电极，所述P电极通过相应的所述透孔和所述透明导电层及反射层、所述P型氮化镓层（P-GaN）形成一P接触电极。

5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述发光元件中的N电极和P电极结合在所述绝缘层上方的两旁，能延伸至所述N型氮化镓层（N-GaN）或所述基板，其延伸面积越大越有利于固晶时的黏着度。

6.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于：所述导电金属材料为铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、金（Au）。

7.一种发光元件的制作方法，其特征在于：采用蚀刻方式形成结合在基板上方的N型氮化镓层（N-GaN），以形成一倾斜而上的两旁层面，并在所述N型氮化镓层（N-GaN）的预设段落依序结合有略倾斜而上的多层量子井（MQWS）、P型氮化镓层（P-GaN）与透明导电层及反射层，之后，沿着所述透明导电层及反射层的作用层面、和所述P型氮化镓层（P-GaN）与所述多层量子井（MQWS）的两旁覆设一预设厚度的绝缘层并延伸至所述N型氮化镓层（N-GaN）与所述基板的交界处，所述绝缘层能通过所述N型氮化镓层（N-GaN）形成的两旁倾斜而上的层面获得足够的覆设力，达到所需的厚度，在所述绝缘层的两旁预设部位各预留有多个透孔，并利用导电金属材料导通N电极和P电极，使所述N电极经相应透孔和所述N型氮化镓层（N-GaN）形成一N接触电极，所述P电极经相应透孔与所述透明导电层及反射层和所述P型氮化镓层（P-GaN）形成一P接触电极，所述透孔数量的多寡用来调整电流；

所述N型氮化镓层（N-GaN）与所述P型氮化镓层（P-GaN）在和所述多层量子井（MQWS）接触电导通后，将所述多层量子井（MQWS）产生的光经所述反射层的反射，根据折射原理通过四面八方由各处发射而出。

8.如权利要求7所述的发光元件的制作方法，其特征在于：所述导电金属材料为铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、金（Au）。