[发明专利]输入接收电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201310072338.3 申请日: 2013-03-07
公开(公告)号: CN103259525B 公开(公告)日: 2017-03-01
发明(设计)人: 张益豪;王释兴;杨文栋;张延安 申请(专利权)人: 钰创科技股份有限公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 梁挥,李岩
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 输入 接收 电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种输入接收电路,其特征在于,包含:

一第一输入接收单元,用以接收一反相唤醒信号、一外部致能信号、一第一电压及一参考信号,以及根据该外部致能信号和该参考信号,产生并输出一第一致能信号;

一第二输入接收单元,用以接收该外部致能信号、该第一电压及一反相致能电压,以及根据该外部致能信号,产生并输出一第二致能信号;

一延迟单元,耦接于该第二输入接收单元,用以根据该第二致能信号,产生一唤醒信号;及

一第一逻辑单元,耦接于该第一输入接收单元与该延迟单元,用以接收该第一致能信号与该唤醒信号,并根据该第一致能信号与该唤醒信号,产生一内部致能信号。

2.如权利要求1所述的输入接收电路,其特征在于,当该第二致能信号是从该第二致能信号的高电位变化至该第二致能信号的低电位时,该唤醒信号的变化是落后该第一致能信号的变化一预定时间;当该第二致能信号是从该第二致能信号的低电位变化至该第二致能信号的高电位时,该唤醒信号的变化是同歩于该第一致能信号的变化。

3.如权利要求1所述的输入接收电路,其特征在于,该反相唤醒信号是该唤醒信号通过一第二逻辑单元所产生。

4.如权利要求1所述的输入接收电路,其特征在于,当该外部致能信号是为该外部致能信号的低电位时,该唤醒信号是用以关闭一内部频率产生器,且该反相唤醒信号是用以关闭该第一输入接收单元。

5.如权利要求4所述的输入接收电路,其特征在于,该内部致能信号是用以传送至一致能缓存器,以及该内部频率产生器所产生的内部频率亦传送至该致能缓存器。

6.如权利要求1所述的输入接收电路,其特征在于,该第一输入接收单元包含:

一第一P型金氧半晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,用以接收该反相唤醒信号,及一第三端;

一第二P型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,及一第三端,耦接于该第二P型金氧半晶体管的第二端;

一第三P型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,耦接于该第二P型金氧半晶体管的第二端,及一第三端,用以输出一第一信号;

一第一N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,用以接收该参考信号,及一第三端,耦接于一地端;

一第二N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,用以接收该外部致能信号,及一第三端,耦接于该地端;

一第三N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,用以接收该反相唤醒信号,及一第三端,耦接于该地端;及

一内部逻辑单元,具有一第一端,耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端,用以接收该第一信号,及一第二端,用以输出该第一致能信号,其中该内部逻辑单元是用以反相该第一信号,以产生并输出该第一致能信号。

7.如权利要求1所述的输入接收电路,其特征在于,该第一输入接收单元包含:

一第一P型金氧半晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,用以接收该参考信号,及一第三端;

一第二P型金氧半晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,用以接收该外部致能信号,及一第三端,用以输出一第一信号;

一第一N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,耦接于该第一N型金氧半晶体管的第一端,及一第三端;

一第二N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端,一第二端,耦接于该第一N型金氧半晶体管的第二端,及一第三端,耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端;

一第三N型金氧半晶体管,具有一第一端,耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端,一第二端,用以接收该唤醒信号,及一第三端,耦接于一地端;

一第三P型金氧半晶体管,具有一第一端,用以接收该第一电压,一第二端,用以接收该唤醒信号,及一第三端,耦接于该第二P型金氧半晶体管的第三端;及

一内部逻辑单元,具有一第一端,耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端,用以接收该第一信号,及一第二端,用以输出该第一致能信号,其中该内部逻辑单元是用以反相该第一信号,以产生并输出该第一致能信号。

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