[发明专利]掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法

权利要求书

1.可调谐激光晶体掺铬硅酸镁钙，其特征在于：该晶体的分子式为Cr³⁺：CaMgSi₂O₆，属于单斜晶系，具有C12/c1空间群结构，晶胞参数为β＝105.97°，Z＝4，Dc＝3.271g/cm³，可产生可调谐激光；作为掺杂离子的铬离子其价态为+3价，取代晶体中镁离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.2at％～5％at％之间。

2.权利要求1所述的可调谐激光晶体掺铬硅酸镁钙，其制备方法包括下列步骤：

(1)、初始原料为CaCO₃、MgO、SiO₂和Cr₂O₃，根据分子式Ca(Cr_xMg_1-x)Si₂O₆，按其分子式中各物质的摩尔比准确称取原料，在球磨机中研磨混合均匀，压制成块料；

(2)、将块料置于刚玉杯中，在马弗炉中升温至800℃，恒温合成24小时，取出重新研磨混合均匀，压制成块料，在1100℃恒温合成24小时；

(3)、将所述的块料放入铱金坩埚中，采用提拉法生长，生长条件为：惰性气体气氛下进行，生长温度1500℃，10-20转/分钟的晶体转速，0.2-0.8毫米/小时的拉速。