[发明专利]电力半导体装置

权利要求书

1.一种电力半导体装置，其中，具备：

第一导电型的第一半导体层，具有第一表面和与上述第一表面相反侧的第二表面，在与上述第一表面平行的面内具有第一区域；

第二导电型的第二半导体层，在上述第一区域中，在上述第一表面侧设在上述第一半导体层上；

一对导电体，设在夹着上述第二半导体层从上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面到达上述第一半导体层的一对第一沟槽内，隔着绝缘膜与上述第一半导体层及上述第二半导体层相邻；

第二导电型的第三半导体层，在上述一对导电体之间选择性地设在上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面，具有比上述第二半导体层高的第二导电型的杂质的浓度；

第一导电型的第四半导体层，在上述第一区域中设在上述第一半导体层的上述第二表面上，与上述第一半导体层的上述第二表面电连接，具有比上述第一半导体层高的第一导电型的杂质的浓度；

第一电极，设在上述一对导电体上，与上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面及上述第三半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面电接合，与上述一对导电体电连接；以及

第二电极，与上述第四半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中，

上述第二半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面的每单位面积的第二导电型的杂质的总量是2×10¹²/cm²以下。

3.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中，

上述一对第一沟槽的侧壁－侧壁间隔是2μm以下。

4.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中，

当设上述一对第一沟槽的侧壁－侧壁间隔为A、上述一对第一沟槽的层叠方向的深度为B时，A对B的比小于或等于0.5。

5.如权利要求1所述的电力半导体装置，其中，

上述第一半导体层还具有在与上述第一表面平行的上述面内与上述第一区域相邻的第二区域；

上述电力半导体装置还具有：

第二导电型的第五半导体层，在上述第二区域中在上述第一表面侧设在上述第一半导体层上，具有比上述第二半导体层高的第二导电型的杂质的浓度；

第一导电型的第六半导体层，设在上述第五半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面，具有比上述第一半导体层高的第一导电型的杂质的浓度；以及

栅电极，隔着栅绝缘膜设在上述第一半导体层上、上述第五半导体层上、及上述第六半导体层上；

上述第二电极在上述第二区域中与上述第一半导体层的上述第二表面电连接；

上述第一电极与上述第五半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面及上述第六半导体层的与上述第一半导体层相反侧的表面电连接。

6.如权利要求5所述的电力半导体装置，其中，

上述栅电极隔着上述栅绝缘膜设在从上述第六半导体层的与上述第一半导体层相反侧的上述表面穿过上述第五半导体层到达上述第一半导体层的第二沟槽内。

7.如权利要求6所述的电力半导体装置，其中，

上述第一沟槽的深度与上述第二沟槽的深度相同。

8.如权利要求5所述的电力半导体装置，其中，

还具备第二导电型的第七半导体层，上述第二导电型的第七半导体层在上述第二区域中与上述第一半导体层的上述第二表面电连接，具有比上述第五半导体层高的第二导电型的杂质的浓度；

上述第二电极在上述第二区域中隔着上述第七半导体层与上述第一半导体层的上述第二表面电连接。