[发明专利]一种真空挥发制备砷化锌的方法无效

专利信息
申请号: 201310070062.5 申请日: 2013-03-06
公开(公告)号: CN103130273A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 廖亚龙;彭志强 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01G28/00 分类号: C01G28/00
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地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 真空 挥发 制备 砷化锌 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种能满足半导体材料要求的砷化锌的制备方法,属于材料制备领域。

背景技术

砷化锌为灰色结晶,熔点高(1015℃),有毒。不溶于水,但能溶于稀酸,在酸中溶解时会产生砷化氢气体。砷化锌常用作光谱分析试剂和制备电子组件的原料,也是一种新型半导体材料。在半导体材料工业中也可用做外延法、气相化学沉积等方法制备砷化镓、砷化铟、砷磷化镓、砷磷化铟等半导体材料的原料或者砷源,用途日益广泛。

目前制备砷化锌的方法主要采用外延法,存在反应速度慢、条件苛刻、设备投资大、合成规模小等问题,本发明的制备方法主要提升了合成过程的反应速度,设备投资减低,反应控制条件易控、简单,产品合成的规模可大可小,也可以组织大规模的合成,制备成本低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种以金属锌和金属砷为原料,通过真空挥发、气相沉积的方法制备用于半导体材料工业的砷化锌,通过下列技术方案实现。

一种真空挥发制备砷化锌的方法,经过下列各步骤:

(1)将金属砷和金属锌按质量比为1:0.5~1.34,分别置于压力为0~2000Pa、温度为500~1300℃下进行挥发0.5~10h;

(2)将步骤(1)挥发出的金属砷蒸汽和金属锌蒸汽于700~900℃下反应0.5~5h,得到沉积物和挥发气体;

(3)将步骤(2)所得沉积物冷却到300℃以下,并在惰性气体保护下或者真空条件下粉碎即得到砷化锌。

所得砷化锌的含量大于99.995wt%。

所述步骤(1)的金属砷含量为As≥99wt%。

所述步骤(1)的金属锌含量为Zn>99.9wt%。

所述步骤(2)所得挥发气体通入300~500℃下进行凝固,得到未反应的金属锌和金属砷。

本发明的原理是:利用砷和锌皆易挥发的特性(砷在613℃产生升华,锌在907℃产生挥发),特别是在真空下更易于挥发,通过真空挥发可以对砷和锌进行提纯,另外砷易与金属形成合金的特性,将锌和砷在真空下于一定的温度下分别挥发,集中到同一反应器中反应得到砷化锌产物;步骤(1)的砷和锌的比例是反应产物中只有目标产物一种砷化锌的保证;步骤(2)的目的在于砷蒸气和锌蒸气发生反应生成砷化锌产物;步骤(3)的目的在于收集反应的产物砷化锌,砷化锌的熔点高达1015℃,砷蒸气和锌蒸气反应得到的砷化锌会凝集在反应器底部和壁上,离开反应器的气体主要为气相的砷和锌,在低于300℃就会冷凝为金属砷和金属锌。该发明克服传统方法中砷化锌纯度不高,特别是存在As2Zn, 也克服传统方法中有剧毒物质三氧化二砷产生,对环境和操作人员造成危害。此外本发明的制备方法简单、流程短、反应速度快、投资少,产品纯度高。

本发明具备的优点和效果:

1、能够充分利用金属砷资源,减少工业过程中排放到环境中砷的量,有利于环境保护。

2、将价值较低的金属砷和锌制备为高附加值的、能够用于半导体材料及光伏产业的砷化锌产品。

3、本方法反应速度快、设备投资减低,反应控制条件易控、简单,制备成本低。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

(1)将含量为As≥99.5wt%的金属砷200g和含量为Zn>99.95wt%的金属锌250g按质量比为1:1.25,分别置于压力为500Pa、锌的加热室温度为1050℃、砷的加热室温度为610℃,进行挥发4h;

(2)将步骤(1)挥发出的金属砷蒸汽和金属锌蒸汽于800℃下反应4h,得到沉积物和挥发气体;挥发气体通入450℃下进行凝固,得到未反应的金属锌和金属砷;

(3)将步骤(2)所得沉积物冷却到280℃,并在惰性气体保护下粉碎即得到砷化锌387.5g。所得砷化锌的含量大于99.995wt%。

实施例2

(1)将含量为As≥99.5wt%的金属砷250g和含量为Zn>99.995wt%的金属锌335g按质量比为1:1.34,分别置于压力为2000Pa、锌的加热室温度为1300℃、砷的加热室温度为500℃,进行挥发10h;

(2)将步骤(1)挥发出的金属砷蒸汽和金属锌蒸汽于700℃下反应5h,得到沉积物和挥发气体;挥发气体通入500℃下进行凝固,得到未反应的金属锌和金属砷;

(3)将步骤(2)所得沉积物冷却到300℃以下,并在真空条件下粉碎即得到砷化锌497.2g。所得砷化锌的含量为99.9992wt%。

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