[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

步骤S101，提供半导体衬底；

步骤S102，采用第一沉积工艺在所述半导体衬底表面形成第一介质层；

步骤S103，在所述第一沉积工艺之后，对所述第一介质层表面进行表面处理，去除所述第一介质层表面的凸部；

步骤S104，在所述表面处理工艺之后，采用第二沉积工艺在所述半导体衬底表面形成第二介质层，所述第二沉积工艺的速率小于第一沉积工艺的速率。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面处理工艺为：采用氩气和氦气的等离子体轰击工艺，工艺参数为：氩气1000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，氦气1000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，压力2托～8托，温度350摄氏度～450摄氏度，高频功率500瓦～1500瓦，低频功率500瓦～1500瓦。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的沉积速率为5000～15000埃/分钟。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沉积工艺的沉积速率为500～1000埃/分钟。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沉积工艺的参数为：硅烷气体流量50标准毫升/分钟～80标准毫升/分钟，一氧化二氮气体流量5000标准毫升/分钟～10000标准毫升/分钟，气压1托～5托，温度350摄氏度～450摄氏度，高频功率200瓦～500瓦。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沉积工艺的参数为：硅烷气体流量为500标准毫升/分钟～1000标准毫升/分钟，一氧化二氮气体流量为15000标准毫升/分钟～20000标准毫升/分钟，气压1托～3托，温度350摄氏度～450摄氏度，高频功率1000瓦～2000瓦。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为400埃～500埃，所述第二介质层的厚度为50埃～100埃。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一介质层和第二介质层的总厚度小于预设厚度时，再次执行步骤S102、步骤S103和步骤S104，直至若干层第一介质层和第二介质层的总厚度等于或大于预设厚度。

10.如权利要求9所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设厚度为1000埃～5000埃。

11.如权利要求9所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一介质层和第二介质层的总厚度等于或大于预设厚度之后，在所述第一介质层和第二介质层内形成导电插塞。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的形成工艺为：在位于顶层的第二介质层表面形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出需要形成导电插塞的第二介质层表面；以所述光刻胶层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一介质层和第二介质层，形成通孔；在所述通孔内和第二介质层表面形成金属材料，直至填充满所述通孔；采用抛光工艺去除高于第二介质层表面的金属材料，在所述通孔内形成导电插塞。

13.如权利要求12所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成金属材料之前，在所述通孔的侧壁和底部表面、以及第二介质层表面沉积停止层，所述金属材料形成于所述停止层表面，所述停止层的材料为氮化钛或氮化钽。

14.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料为铜、钨或铝。

15.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面或所述半导体衬底内形成半导体器件，在所述半导体衬底和半导体器件表面形成第一介质层。