[发明专利]一种磁场可调的布拉格光纤太赫兹开关无效

专利信息
申请号: 201310069364.0 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103149714A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 任广军;高欣 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;H01P1/10
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁场 可调 布拉格 光纤 赫兹 开关
【权利要求书】:

1.一种磁场可调的布拉格光纤太赫兹开关,包括包层和纤芯,其特征在于所述包层采用高密度聚乙烯和向列相液晶E7交替排列,在填充液晶层的两端用高阻硅封口,使液晶E7处于封闭腔内,中空的纤芯中放置铜丝,包层外周设置螺线管。

2.根据权利要求1所述的太赫兹开关,其特征在于所述包层包括12组交替排列的高密度聚乙烯和向列向液晶E7。

3.根据权利要求2所述的太赫兹开关,其特征在于所述太赫兹开关工作于1THz,开关的结构参数是:长度为10cm,纤芯半径为1548μm;包层中每层高密度聚乙烯在太赫兹波段折射率为nH=1.5,厚度为2113μm;对于1THz的太赫兹波,每层液晶E7的折射率为n0=1.57和ne=1.76,液晶的厚度4016μm。

4.根据权利要求1、2或3所述的太赫兹开关,其特征在于所述中空纤芯中放置的铜丝半径为280μm,铜丝的电导率取σ=51998×107S/m。

5.根据权利要求1、2或3所述的太赫兹开关,其特征在于所述高阻硅在太赫兹波段的折射率为3.418。

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