[发明专利]一种对InP材料进行减薄和抛光的方法

权利要求书

1.一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，包括：

制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；

利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；

对InP材料进行化学机械抛光；

对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及

将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。

2.根据权利要求1所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫的步骤，包括：

对硅片进行标准RCA清洗工艺；以及

使用溅射台在清洗后的硅片抛光面表面采用RF等离子溅射Ti/Al₂O₃纳米颗粒膜层结构，形成硅片研磨衬垫。

3.根据权利要求2所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述对硅片进行标准RCA清洗工艺的步骤，包括：

用SC-3试剂在100℃～130℃温度下对硅片进行清洗：SC-3试剂中各成份体积比为H₂SO₄∶H₂O₂∶H₂O＝1∶3∶20，时间10分钟；

用SC-1试剂在65℃～80℃温度下对硅片进行清洗，SC-1试剂中各成份体积比为NH₄OH∶HO₂∶H₂O＝1∶1∶5，时间10分钟；

用DHF在20～25℃温度下对硅片进行清洗，DHF中各成份体积比为HF∶H₂O＝1∶10，时间10分钟；

用SC-2试剂在65℃～80℃温度下对硅片进行清洗，SC-2试剂中各成份体积比为HCl∶H₂O₂∶H₂O＝1∶1∶6，时间10分钟；以及

用去离子水冲洗干净，N₂吹干。

4.根据权利要求2所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述使用溅射台在清洗后的硅片抛光面表面采用RF等离子溅射Ti/Al₂O₃纳米颗粒膜层结构的步骤中，Ti厚度为50nm～80nm，Al₂O₃厚度为5μm～6μm，膜层厚度均匀性±3％。

5.根据权利要求1所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄的步骤，包括：

利用该硅片研磨衬垫，将待减薄的InP材料装于研磨夹具上，开始减薄；该硅片研磨衬垫转速30rpm～60rpm，InP材料自转80rpm～200rpm，研磨浆液采用次氯酸钠水溶液和3μmAl2O3粉，PH值11～12.5，压强0.1kg/cm²。

6.根据权利要求5所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述InP材料减薄的最终厚度为60μm。

7.根据权利要求1所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述对InP材料进行化学机械抛光的步骤，包括：

使用聚酰亚胺树脂抛光垫，抛光浆液成份为：30nm粒径SiO₂粉末和四甲基氢氧化铵5～10％(体积比)水溶液，PH值12，抛光垫转速40rpm～50rpm，InP材料自转100rpm～120rpm，压强0.15kg/cm²，InP材料抛光完毕后的厚度小于30μm，结束化学机械抛光工艺。

8.根据权利要求1所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗的步骤，包括：

采用体积比为1∶10的脂肪醇醚硫酸钠水溶液对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗，溶液温度40℃，清洗完成后，使用热氮气吹干。

9.根据权利要求1所述的对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，所述将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光的步骤，包括：

采用Cl₂气30sccm，Ar气2sccm，RF功率20W～40W，ICP功率200W～300W，刻蚀10分钟～15分钟，再用He气5sccm，RF10W刻蚀10分钟～15分钟。