[发明专利]太阳能电池互连组件及其制造方法有效
申请号: | 201310068633.1 | 申请日: | 2013-03-05 |
公开(公告)号: | CN104037255B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | C·图里诺;A·科恩菲尔德;P·帕泰尔;A·博卡 | 申请(专利权)人: | 索埃尔科技公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 互连 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,包括:
太阳能电池,其上形成有互联部件;
互连件;和
共熔合金的接合层,在所述互连件和所述互联部件之间,用于接合所述互连件和所述互联部件,
其中所述互联部件包括在所述太阳能电池上的金属部件以及在所述金属部件之上的锗(Ge)层,并且所述互连件包括在其表面处的第一金(Au)层,并且
其中所述接合层是由至少一部分所述第一金层和至少一部分所述锗层形成的共熔Au-Ge合金层,
其中所述互联部件还包括在所述锗层之上的第二金层,并且
其中所述接合层是由至少一部分所述第一金层、至少一部分所述第二金层、以及至少一部分所述锗层形成的共熔Au-Ge合金层。
2.根据权利要求1的太阳能电池组件,其中所述共熔Au-Ge合金的接合层是通过如下形成的:
加热所述互连件和所述互联部件到等于或在Au-Ge共熔温度之上的温度并将它们中的一个压向另一个,以使得至少一部分所述第一金层和至少一部分所述锗层形成Au-Ge液相,以及
使所述Au-Ge液等温固化以形成共熔Au-Ge合金的所述接合层。
3.根据权利要求1的太阳能电池组件,其中共熔Au-Ge合金的所述接合层是通过如下形成的:
加热所述互连件和所述互联部件到等于Au-Ge共熔温度或在Au-Ge共熔温度之上的温度并将它们中的一个压向另一个,以使得至少一部分所述第一金层、至少一部分所述第二金层、以及至少一部分所述锗层形成Au-Ge液相,以及
将所述Au-Ge液等温固化以形成共熔Au-Ge合金的所述接合层。
4.根据权利要求2的太阳能电池组件,其中所述压的步骤在中等压力下执行。
5.根据权利要求1的太阳能电池组件,其中所述互联部件还包括直接形成在所述金属部件之上并且在所述共熔合金的接合层和所述金属部件之间的阻挡层。
6.根据权利要求1的太阳能电池组件,其中所述互联部件和所述互连件通过所述接合层的接合能够耐受14N或更大的张应力。
7.根据权利要求1的太阳能电池组件,其中所述太阳能电池组件适于用在航空航天应用中。
8.一种制造太阳能电池组件的方法,包括:
提供太阳能电池,太阳能电池上形成有互联部件,所述互联部件包括形成在所述太阳能电池的表面上的金属部件以及形成在所述金属部件之上的第一前体层;
提供互连件,所述互连件包括在其表面处的第二前体层;
加热所述互连件和所述互联部件到等于所述第一和第二前体层的材料的共熔温度或在该共熔温度之上的温度并将它们中的一个压向另一个,以使得至少一部分所述第一前体层和至少一部分所述第二前体层形成共熔液相,以及
将所述共熔液等温固化以形成共熔合金的接合层,
其中所述提供太阳能电池还包括在所述第一前体层之上形成第三前体层,所述第三前体层包括与所述第二前体层相同的材料,并且
其中所述加热和压的步骤使得至少一部分所述第二前体层、至少一部分所述第三前体层、以及至少一部分所述第一前体层形成共熔液相。
9.根据权利要求8的方法,其中:
所述第一前体层是锗层;
所述第二前体层是第一金层;
所述共熔液相是Au-Ge液相;并且
所述接合层是共熔Au-Ge合金的接合层。
10.根据权利要求8的方法,其中所述提供太阳能电池还包括:
提供其上形成有所述金属部件的太阳能电池;并且
在所述金属部件上形成所述第一前体层。
11.根据权利要求8的方法,其中所述提供太阳能电池还包括:
提供其上形成有所述金属部件的太阳能电池;
在所述金属部件上形成阻挡层;以及
在所述阻挡层上形成所述第一前体层。
12.根据权利要求8的方法,其中所述压的步骤在中等压力下执行。
13.根据权利要求10的方法,其中所述提供太阳能电池还包括:
在形成所述第一前体层之前将所述金属部件退火。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的