[发明专利]具有一体化法拉第屏蔽的多层电子结构

权利要求书

1.一种多层电子支撑结构，其包括包封在介电材料中的至少一个功能金属组件，并且还包括在所述介电材料内的至少一个法拉第栅，用于屏蔽所述至少一个功能金属组件以免受外部电磁场干扰和防止所述金属组件的电磁发射。

2.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括信号载体。

3.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括铜。

4.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件位于通孔层中，所述通孔层还包括连接上方和下方的相邻特征层的连接通孔。

5.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件还包括下层，所述下层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

6.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件还包括上层，所述上层选自溅射种子层、电镀金属层和沉积在溅射或化学镀种子层上的电镀金属层。

7.如权利要求4所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个功能金属组件包括电路。

8.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅包括：

在所述至少一个金属组件上方的上金属层，和

在所述至少一个金属组件下方的下金属层。

9.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅还包括：

在所述至少一个金属组件的每一侧上的元件，其通过通孔柱列连接至上和下金属层以提供法拉第笼。

10.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述通孔柱列是连续的。

11.如权利要求8所述的多层电子支撑结构，其中所述通孔柱列是不连续的。

12.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述至少一个法拉第栅包括铜。

13.如权利要求1所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料包括聚合物。

14.如权利要求13所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括陶瓷或玻璃。

15.如权利要求13所述的多层电子支撑结构，其中所述聚合物包括聚酰亚胺、环氧树脂、双马来酰亚胺、三嗪和及其共混物。

16.如权利要求14所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括玻璃纤维。

17.如权利要求14所述的多层电子支撑结构，其中所述介电材料还包括陶瓷颗粒填料。

18.一种制造如权利要求1所述的多层电子支撑结构的方法，包括以下步骤：

a)获得包括上层的基板，所述上层包含连续金属接地面；

b)在所述连续金属接地面上涂覆第一光刻胶层；

c)显影所述第一光刻胶层，所述第一光刻胶层具有包括下金属通孔列对的图案；

d)在所述第一光刻胶层中图案镀覆所述下金属通孔列对；

e)剥除所述第一光刻胶层；

f)在所述下金属通孔列对上层压第一介电材料层；

g)减薄所述第一介电材料层以暴露出所述下金属通孔列对的端部；

h)在所述第一介电材料层上沉积第一金属种子层；

i)在所述第一金属种子层上涂覆第二光刻胶层；

j)曝光并显影包括在所述第二光刻胶层两侧上的金属元件和相邻的法拉第栅的图案；

k)通过图案镀覆共同制造所述金属元件和相邻的法拉第栅；

l)剥除所述第二光刻胶层；

m)涂覆第三光刻胶层；

n)曝光并显影第三图案，所述第三图案包括在所述第三光刻胶层中的上通孔柱列；

o)将所述上通孔柱列图案镀覆到被曝光和显影的图案中；

p)剥除所述第三光刻胶层；

q)移除所述种子层；

r)在所述上通孔柱列上层压一层介电材料；

s)减薄所述介电材料以暴露出所述上通孔柱列的端部；和

t)在被暴露出的端部上沉积上金属层。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述上金属层包括金属种子层。