[发明专利]多层陶瓷电容器及安装有多层陶瓷电容器的电路板的安装结构

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：

陶瓷主体，该陶瓷主体具有被层叠在该陶瓷主体中的多个介电层；

有源层，该有源层包括多个第一内部电极和第二内部电极，其中该多个第一内部电极和第二内部电极通过所述陶瓷主体的两个端表面交替地暴露，并且在所述第一内部电极与所述第二内部电极之间有所述介电层被插入，从而形成电容；

上覆盖层和下覆盖层，该上覆盖层和下覆盖层分别形成于所述有源层的上方和下方；

第一外部电极和第二外部电极，该第一外部电极和第二外部电极覆盖所述陶瓷主体的两个端表面；

多个第一虚拟电极和第二虚拟电极，该多个第一虚拟电极和第二虚拟电极在所述有源层内部分别在长度方向上从所述第一外部电极和所述第二外部电极向内部延展从而对立于所述第一内部电极和所述第二内部电极；以及

多个压电元件，该多个压电元件在所述有源层内部将所述第一内部电极与所述第一虚拟电极或者所述第二内部电极与所述第二虚拟电极分别连接，该压电元件具有比所述介电层更高的介电常数，

其中所述下覆盖层比所述上覆盖层厚，以及

其中，当所述陶瓷主体的总厚度的1/2被指定为A、所述下覆盖层的厚度被指定为B、所述有源层的总厚度的1/2被指定为C以及所述上覆盖层的厚度被指定为D时，所述有源层的中心偏离所述陶瓷主体的中心的偏离比值(B+C)/A满足1.064≤(B+C)/A≤1.745。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中在所述第一内部电极与所述第一虚拟电极之间以及所述第二内部电极与所述第二虚拟电极之间都形成有所述压电元件。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中比值D/B满足0.021≤D/B≤0.421。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中比值B/A满足0.220≤B/A≤1.522。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中比值C/B满足0.147≤C/B≤3.843。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述下覆盖层包括虚拟图样，该虚拟图样包括分别在长度方向上从所述第一外部电极和所述第二外部电极向内延展从而彼此对立的第一虚拟图样和第二虚拟图样。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中所述第一虚拟图样和所述第二虚拟图样具有相同的长度。

8.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器还包括在所述下覆盖层内部将所述第一虚拟图样和所述第二虚拟图样彼此连接的压电元件，该压电元件具有比所述下覆盖层的所述介电层更高的介电常数。

9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中所述下覆盖层是由具有比所述陶瓷主体的所述介电层更高的介电常数的材料形成的。

10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当电压被施加时，由于发生在所述有源层中心的变形率与发生在所述下覆盖层的变形率的不同，形成于所述陶瓷主体的两个端表面中的变曲点在对应于或低于所述陶瓷主体的厚度中心的高度处形成。