[发明专利]线性沉积源及包括该线性沉积源的真空沉积装置

说明书

本发明涉及线性沉积源及包括该线性沉积源的真空沉积装置。本发明的线性沉积源包括：坩埚，存储蒸发物质；加热部，加热所述坩埚；及侧面反射器。所述侧面反射器包围所述加热部的侧面，设置为多个。多个所述侧面反射器分别包括第一反射器及第二反射器。所述第一反射器与所述加热部隔开而结合，具有多个第一开口。所述第二反射器能够移动地与所述第一反射器结合，具有第二开口。多个所述侧面反射器的开口率是相互独立地调节的，因此能够按区域调节所述坩埚的温度，结果是能够提高线性沉积源的沉积均匀度。

技术领域

本发明涉及一种线性沉积源及包括该线性沉积源的真空沉积装置，尤其涉及能够按区域对坩埚的温度进行控制的线性沉积源及包括该线性沉积源的真空沉积装置。

背景技术

一般来说，在基板上形成薄膜的方法中有真空沉积法（evaporation）、离子镀法（ion plating）及溅射法（sputtering）等物理气相沉积法（PVD）和由气体反应所进行的化学气相沉积法（CVD）。

以往的实施真空沉积法的真空沉积装置具备沉积源，所述沉积源包括用于存储蒸发物质的坩埚（crucible）、用于加热所述坩埚的加热器及用于阻断由所述加热器产生的热的损失的反射器。所述沉积源可使用具有沿一侧方向较长延伸形态的线性沉积源。

但在采用线性沉积源时，在所述坩埚的所述一侧方向的两端会产生微小的温度差，因此无法形成均匀厚度的薄膜。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种线性沉积源，该线性沉积源按区域调节坩埚的温度，因此沉积均匀度高。

本发明的一实施例的线性沉积源包括：坩埚，存储蒸发物质；加热部，加热所述坩埚；及侧面反射器。所述侧面反射器包围所述加热部的侧面，设置为多个。

多个所述侧面反射器分别包括第一反射器及第二反射器。所述第一反射器与所述加热部隔开而结合，具有多个第一开口。所述第二反射器能够移动地与所述第一反射器结合，具有第二开口。

多个所述侧面反射器的开口率可相互独立地进行调节。

多个所述侧面反射器可分别进一步包括使所述第二反射器沿第一方向移动的沉积源输送部。

所述第一开口及所述第二开口可具有相同的大小和数量。

所述加热部可包括用于加热所述坩埚的加热器及用于支撑所述加热器的加热框。

所述线性沉积源可进一步包括：温度传感部，固定在所述加热框，并配置于所述坩埚和所述加热器之间。所述温度传感部的数量可与多个所述侧面反射器的数量相同。

本发明的一实施例的真空沉积装置包括工艺腔室、线性沉积源及基板支架。所述基板支架配置为与所述线性沉积源相对。

所述线性沉积源可位于所述工艺腔室的内部。

根据本发明的一实施例的真空沉积装置，能够通过调节侧面反射器的开口率来按区域调节坩埚的温度，结果是能够提高线性沉积源的沉积均匀度。

附图说明

图1为根据一实施例的真空沉积装置的示意图。

图2为图1中的线性沉积源的立体图。

图3为图1中的线性沉积源的俯视图。

图4为图3的I-I’向剖视图。

图5a至图5c为显示具有多种开口率的多个所述侧面反射器的图。

图6为所述侧面反射器的开口率和坩埚的温度之间关系的检测图。

符号说明

100：真空沉积装置 200：工艺腔室