[发明专利]间隙壁去除方法有效
| 申请号： | 201310066832.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022030B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 间隙 去除 方法 | ||
1.一种间隙壁去除方法，其特征在于，用于防止磷酸溶液损伤浅沟槽隔离结构与锗硅层界面处的锗硅层，所述间隙壁去除方法包括：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于所述栅极结构侧壁的间隙壁，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构以及锗硅层；
在所述锗硅层上形成金属硅化物层；
在所述半导体衬底上形成DUO材料层并进行回刻蚀形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述浅沟槽隔离结构和金属硅化物层；
利用磷酸溶液去除所述间隙壁；
去除所述刻蚀阻挡层。
2.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用旋涂工艺形成所述DUO材料层。
3.如权利要求2所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用旋涂工艺形成所述DUO材料层后，对所述DUO材料层进行烘烤。
4.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，所述DUO材料层的厚度为
5.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用湿法的方式进行回刻蚀形成刻蚀阻挡层。
6.如权利要求5所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用CLK888溶液回刻蚀形成刻蚀阻挡层。
7.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为3～20nm。
8.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用湿法的方式去除所述刻蚀阻挡层。
9.如权利要求8所述的间隙壁去除方法，其特征在于，采用CLK888溶液去除所述刻蚀阻挡层。
10.如权利要求1所述的间隙壁去除方法，其特征在于，所述金属硅化物层是NiSi或TiSi。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
