[发明专利]晶圆背面对准的方法在审
| 申请号： | 201310066825.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022060A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松;邹永祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 对准 方法 | ||
1.一种晶圆背面对准的方法，其特征在于，包括：
在第一晶圆的第一表面上形成第一层器件，并反转所述第一晶圆使之结合于第二晶圆上，所述第一晶圆的第一表面上形成有第一对准标记；
将所述第一晶圆从第二表面削薄至第一厚度，并刻蚀所述第一对准标记所在区域，使得所述第一对准标记显现；
采用包括第二对准标记的光罩进行光刻；
其中，所述第一对准标记和第二对准标记呈镜像对称。
2.如权利要求1所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，采用CMP工艺将所述第一晶圆从第二表面削薄至第一厚度。
3.如权利要求2所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述第一厚度小于等于30μm。
4.如权利要求1所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺从第二表面刻蚀所述第一对准标记所在区域。
5.如权利要求4所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述刻蚀的区域的面积大于所述第一对准标记的面积。
6.如权利要求1所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述第一对准标记由四组光栅组成，其中两组光栅用于横向对准，另外两组光栅用于纵向对准。
7.如权利要求6所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述用于横向对准和纵向对准的光栅间隔排列呈田字形。
8.如权利要求6所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述四组光栅中至少具有两种不同的节距。
9.如权利要求8所述的晶圆背面对准的方法，其特征在于，所述节距为2～6μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
