[发明专利]一种射频MEMS开关及其形成方法

权利要求书

1.一种射频MEMS开关，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底之上的隔离层；

形成在所述隔离层之上的驱动电极和微波信号共面波导传输线，其中，所述微波信号共面波导传输线具有开关接触点和锚区，所述开关接触点的位置与所述金属悬梁臂的自由端相对应，所述锚区与所述金属悬梁臂的固定端相连；以及

形成在所述微波信号共面波导传输线之上的金属悬梁臂，

其中，所述开关接触点由铜薄膜和形成在所述铜薄膜之上的石墨烯薄膜组成，

当所述驱动电极未施加驱动电压时，所述金属悬梁臂与所述开关接触点断开，使所述射频MEMS开关为关闭状态，当所述驱动电极施加驱动电压时，所述金属悬梁臂与所述驱动电极之间产生静电力，使所述金属悬梁臂弯曲后与所述开关接触点接触，使所述射频MEMS开关为开启状态。

2.如权利要求1所述的射频MEMS开关，其特征在于，所述开关接触点的铜薄膜通过溅射及剥离工艺形成的，并且所述石墨烯薄膜是以所述铜薄膜为催化材料通过CVD外延生长形成的。

3.如权利要求1所述的射频MEMS开关，其特征在于，所述铜薄膜的厚度为0.5-1微米。

4.如权利要求1所述的射频MEMS开关，其特征在于，所述金属悬梁臂的材料为金。

5.如权利要求1所述的射频MEMS开关，其特征在于，还包括形成在所述隔离层之上的隔离电阻，所述隔离电阻为非晶硅材料制成。

6.如权利要求5所述的射频MEMS开关，其特征在于，所述隔离电阻为硼掺杂的非晶硅。

7.一种射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底之上形成隔离层；

在所述隔离层之上形成驱动电极和微波信号共面波导传输线，其中，所述微波信号共面波导传输线具有开关接触点和锚区，所述开关接触点的位置与金属悬梁臂的自由端相对应，所述锚区与所述金属悬梁臂的固定端相连；以及

在所述微波信号共面波导传输线之上形成金属悬梁臂，

其中，所述开关接触点由铜薄膜和形成在所述铜薄膜之上的石墨烯薄膜组成，

其中，所述微波信号共面波导传输线具有开关接触点，所述开关接触点的位置与所述金属悬梁臂的自由端相对应，所述开关接触点由铜薄膜和形成在所述铜薄膜之上的石墨烯薄膜组成，

当所述驱动电极未施加驱动电压时，所述金属悬梁臂与所述开关接触点断开，使所述射频MEMS开关为关闭状态，当所述驱动电极施加驱动电压时，所述金属悬梁臂与所述驱动电极之间产生静电力，使所述金属悬梁臂弯曲后与所述开关接触点接触，使所述射频MEMS开关为开启状态。

8.如权利要求7所述的射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，所述形成开关接触点的过程中，通过溅射及剥离工艺形成所述铜薄膜，并且以所述铜薄膜为催化材料通过CVD外延生长形成所述石墨烯薄膜。

9.如权利要求7所述的射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，所述铜薄膜的厚度为0.5-1微米。

10.如权利要求7所述的射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，所述金属悬梁臂的材料为金。

11.如权利要求7所述的射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，还包括：在所述隔离层之上形成非晶硅材料的隔离电阻。

12.如权利要求11所述的射频MEMS开关的形成方法，其特征在于，还包括：对所述隔离电阻进行硼掺杂。