[发明专利]一种镀钯镀金的双镀层键合铜丝的制造方法有效
申请号: | 201310066294.3 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN103219249A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 吕燕翔;居勤坤;史仁龙;万传友;彭芳美;周国忠 | 申请(专利权)人: | 溧阳市虹翔机械制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C22C9/02;C25D5/10;C25D3/44;C25D3/50;C25D5/50;C21D8/06 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 朱戈胜 |
地址: | 213351 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀金 镀层 铜丝 制造 方法 | ||
1.一种双镀层键合铜丝的制造方法,该方法以先后次序依次包括如下步骤:
(1)在高纯铜中加入微量金属元素锡、镁和铝,以制得铜芯;
(2)在所述铜芯的表面上电镀金属钯,已形成镀钯导电层;
(3)在镀钯导电层的表面上电镀金属金,以形成镀金导电层;
(4)对完成镀钯和镀金后的铜丝进行清洗,以形成具有镀钯导电层和镀金导电层的双镀层键合铜丝。
2.一种双镀层键合铜丝的制造方法,该方法以先后次序依次包括如下步骤:
(1)以最终制得的含有镀钯层和镀金层的双镀层键合铜丝为100重量份计,即100wt%计,将92.6~93.8wt%的纯度大于99.9995%的高纯铜置入熔炼炉熔化,并加入0.5wt%的锡、0.3wt%的镁、0.2wt%的铝,经过单晶熔炼拉伸成铜芯,铜芯的直径大约为8mm,并且该铜芯的纵向和横向晶粒数均为1个;
(2)将所述铜芯进行粗拔以制得直径大约为3-4mm的铜丝后,对所述铜丝进行退火,退火温度大约为450-500摄氏度,退火时间大约为20-60分钟,退火后进行水冷;
(3)电镀纯钯导电层:在退火后铜芯表面上电镀2.7~5.4wt%的纯钯,以形成纯钯导电层,所述纯钯的纯度大于99.99%;
(4)第一次精拔:将完成步骤(3)的电镀有纯钯导电层的铜丝,精拔成直径大约为1-2mm的镀钯铜丝;
(5)第一次热退火:对完成步骤(4)的镀钯铜丝进行热退火,其中热退火温度大约为450-500摄氏度,时间大约为20-60分钟;
(6)电镀纯金导电层:在镀钯铜丝的表面上电镀1~2.5wt%的纯金,以形成纯金导电层,所述纯金的纯度大于99.99%;
(7)第二次精拔:将完成步骤(5)的铜丝精拔成直径大约为15-25微米的双镀层键合铜丝;
(8)第二次热退火:对完成步骤(6)的双镀层键合铜丝进行热退火,其中热退火温度大约为450-500摄氏度,时间大约为20-60分钟;
(9)清洗:对完成步骤(7)的双镀层键合铜丝进行表面清洗,采用酸性溶液先对其进行一次清洗,然后采用去离子水进行二次清洗;
(10)将清洗干净的镀金键合铜丝烘干。
其中,步骤(4)中优选的直径大小为1.5mm,步骤(5)和(8)中优选的热退火温度大约为480摄氏度,时间大约为30分钟。
3.如权利要求2所述的双镀层键合铜丝,其特征在于:
所述高纯铜的纯度大于99.9995%,以所述双镀层键合铜丝为100重量份,即100wt%计,其中铜芯中纯铜的含量为92.6~93.8wt%,微量元素总体含量为1wt%,纯钯导电层的含量为2.7~5.4wt%,纯金导电层的含量为1~2.5wt%。
4.如权利要求2-3任意之一所述的双镀层键合铜丝,其特征在于:
所述微量金属元素的总含量为1wt%,包括0.5wt%的锡、0.3wt%的镁以及0.2wt%的铝。
5.如权利要求2-4任意之一所述的双镀层键合铜丝,其特征在于:
所述纯钯的纯度大于99.99%,所述纯金的纯度大于99.99%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造