[发明专利]一种薄膜电容器用复合基板

说明书

技术领域

本发明属于薄膜电容器领域，特别是涉及一种薄膜电容器用复合基板。

背景技术

现有薄膜电容器中，由于对电容器的电容量提出了更高的要求。现有技术中，薄膜电容器一般包括基板、电介质层以及电极层。电介质层的微观结构是决定电容器性能的关键因素。因此，对于薄膜电容器基板的材料构造有严格的要求。

现有的薄膜电容器基板多有采用金属镍来构成。为了在提高电容量的同时不影响电容器的性能，镍基板的纯度和杂质构成就不能忽视。若镍基板中含有不期望的杂质，或者其纯度不足，将限制薄膜电容器的电容量提高，并且可能增加其泄露电流，从而影响薄膜电容器的品质。

而且，薄膜电容器一般都通过嵌入形式而结合在印刷电路板上，现有印刷电路板的线路图案一般都由金属铜来构成，因此，现有镍基板薄膜电容器与印刷电路板结合依然存有缺陷。

发明内容：

本发明针对现有技术中采用金属镍作为基板的薄膜电容器存在的问题，提出了一种复合基板，从而在不影响提高电容量的前提下，得到性能优越的薄膜电容器，并且能够更好的与印刷电路板结合。

本发明提出的薄膜电容器用复合基板，其具有双层结构，该双层结构包括铜基板以及形成在该铜基板上的含有微量杂质的镍基板；其中，所述铜基板采用高纯度的纯铜来形成，其纯度为99.999%；其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：

镍的含量大于或等于99.98重量%。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽。

附图说明

图1为用于本发明提出的薄膜电容器用复合基板与印刷电路板结合的结构示意图。

具体实施方式：

下面通过具体实施方式对本发明进行详细说明。

实施例1：

参见图1，薄膜电容器用复合基板具有双层基板结构，该双层基板结构包括铜基板以及形成在该铜基板上的含有微量杂质的镍基板；其中，所述铜基板采用高纯度的纯铜来形成，其纯度为99.999%；其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：

镍的含量大于或等于99.98重量%。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽。

需要说明的是，本发明提出的薄膜电容器用复合基板中，并没有限定铜基板和镍基板的厚度比例，各种厚度比例都是合适的（例如铜基板和镍基板的厚度比例为1:1、1:2、1:3、2:3等），只要该复合基板由铜基板和镍基板结合而成即可。也就是说，只要复合基板的厚度达到要求即可，其无需具体限定铜基板和镍基板分别占复合基板总厚度的百分比，因为本领域技术人员可以根据实际需要来分配铜基板和镍基板的厚度，以应对各种不同的场合。

下面介绍该薄膜电容器用复合基板的制造方法，所述方法依次包括如下步骤：

（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；

（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；

（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为60分钟；

（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；

（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为40分钟；