[发明专利]一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法

权利要求书

1.一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，依次包括如下步骤：

（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍，其余0.02重量%为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；

（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；

（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为60分钟；

（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；

（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650-800℃，退火时间为40分钟；

（6）将步骤（5）所得的镍基板贴合到纯度为99.999%的铜基板上进行第三次轧制，轧制后形成厚度为200-300微米的复合基板箔片；

（7）第三次热退火，将步骤（6）所得的复合基板箔片进行第三次热退火，退火温度为700-800℃，退火时间为30分钟；

（8）按照四方相锆钛酸铅PbZr1-xTixO₃的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO₂、二氧化锆ZrO₂和二氧化钛TiO₂粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材；

（9）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在步骤（7）所得的复合基板箔片上；从而形成PbZr1-xTixO₃电介质层；该电介质层的厚度为1-5微米，优选2微米；

（10）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层，该电极层的厚度为100-200微米，优选120微米。

2.如权利要求1所述的具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

其中，步骤（9）和（10）中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；而步骤（9）中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时间为60分钟；步骤（5）中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。

3.如权利要求1所述的具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：

其中步骤（8）中，x取值是：0<x<1，优选x为0.05≤x≤0.85；其中煅烧温度为950℃-1200℃，煅烧时间为2.5-3小时。