[发明专利]绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，包括驱动芯片和IGBT门极驱动电路，驱动芯片副边正负电源供电，正负电平输出；其特征是：还包括前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路；所述前级推挽电路、电平转换电路以及后级推挽电路共用驱动芯片副边的正负电源，驱动芯片的输出连接前级推挽电路的输入，前级推挽电路的输出与电平转换电路相连，电平转换电路的输出与后级推挽电路相连，后级推挽电路的输出与IGBT门极驱动电阻相连。

2.根据权利要求1所述绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，其特征是：所述前级推挽电路由电阻（R₁），PNP三极管（Q₁）和NPN三极管（Q₂）构成；电阻（R₁）一端与驱动芯片输出端相连，另一端与PNP三极管（Q₁）和NPN三极管（Q₂）的基极相连；PNP三极管（Q₁）的发射极和正电源相连，NPN三极管（Q₂）的发射极与负电源相连，PNP三极管（Q₁）的集电极作为输出送给后级电路，NPN三极管（Q₂）的集电极作为另一输出送给后级电路。

3.根据权利要求2所述绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，其特征是：所述电平转换电路由电阻（R₂）、电阻（R₃）、电阻（R₄）依次串联构成；电阻（R₂）与正电源相连，电阻（R₄）与负电源相连；电阻（R₂）与电阻（R₃）的连接点（O₁）与前级推挽电路的PNP三极管（Q₁）集电极相连，同时作为电平转换电路的输出送给后级电路；电阻（R₃）与电阻（R₄）的连接点（O₂）与前级推挽电路的NPN三极管（Q₂）的集电极相连，同时作为电平转换电路的输出送给后级电路。

4.根据权利要求3所述绝缘栅双极晶体管门极驱动推挽电路，其特征是：所述后级推挽电路包括电阻（R₅、R₆）、PMOS （Q₃）和NMOS（Q₄）；电阻R₅一端与电平转换电路的节点（O₁）相连，电阻（R₅）的另一端与PMOS的栅极相连，电阻（R₆）一端与电平转换电路的节点（O₂）相连，电阻（R₆）的另一端与NMOS的栅极相连；PMOS的源极与驱动芯片副边正电源相连，漏极作为输出（O₃）与IGBT门极驱动电路的开通电阻（R₇）相连；NMOS的源极与驱动芯片副边负电源相连，漏极作为输出（O₄）与IGBT门极驱动电路的关断电阻（R₈）相连。