[发明专利]一种台阶结构的碳化硅外延发光二极管有效
| 申请号： | 201310064666.9 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103165774A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 童小春 | 申请（专利权）人： | 溧阳市宏达电机有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 台阶 结构 碳化硅 外延 发光二极管 | ||
1.一种台阶结构的发光二极管，其特征在于：在硅衬底（1）上具有外延生长的碳化硅外延层（2），在该碳化硅外延层（2）上依次具有低温缓冲层（3、）n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层（4）、交替形成的超晶格结构的n-Al0.05In0.05Ga0.9N/n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层（5）、p型掺杂的AlGaN层（6）、p型掺杂的In0.05Ga0.95N层（7）、交替形成的超晶格结构的p-In0.1Ga0.95N/p-In0.1Ga0.95P多量子阱层（8），第一透明金属层（9）以及p型电极（10），其中在所述n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层（4）上具有第二透明金属层（11）以及n电极（12）。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
其中，交替形成的n-Al0.05In0.05Ga0.9N/n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层的具体结构为：先形成n-Al0.05In0.05Ga0.9N多量子阱层，然后在该n-Al0.05In0.05Ga0.9N多量子阱层上形成n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层，以该两层作为一个周期，共形成10-20个周期，优选为10个周期。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：
其中，交替形成的超晶格结构的p-In0.1Ga0.95N/p-In0.1Ga0.95P多量子阱层的具体结构为：先形成p-In0.1Ga0.95N多量子阱层，然后在该p-In0.1Ga0.95N多量子阱层上形成p-In0.1Ga0.95P多量子阱层，以该两层作为一个周期，共形成15-25个周期，优选为20个周期。
4.如权利要求1-3任意之一所述的发光二极管，其特征在于：
所述第一透明金属层和所述第二透明金属层的材料为ITO。
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