[发明专利]一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法

权利要求书

1.一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法，其特征在于，采用热沉作为基底生长碳纳米管阵列，并将制备的碳纳米管阵列与发热芯片接触，充分发挥碳纳米管阵列轴向的高导热能力，对发热芯片进行及时散热，具体步骤如下：

a. 在清洁的热沉基底上镀一层Fe膜，放入已升温至300 ℃~500 ℃的石英管内，在Ar和H₂混合气体的气氛内升温至700 ℃~800 ℃，其中H₂的体积分数为10%~30%，得到具有催化活性的Fe纳米颗粒；

b. 在700 ℃~800 ℃温度下将乙烯通入石英管内，乙烯的体积分数为Ar、H₂和乙烯混合气体的5%~15%，生长时间为5~35 min，得到碳纳米管阵列；

c. 将上述碳纳米管阵列根据所选用的芯片的尺寸和形状切割成相应大小和端面形状；

d. 将经过切割处理的碳纳米管阵列的周围均匀涂覆一层导热密封银胶；

e. 将上述得到的碳纳米管阵列对准放置于发热芯片上并压紧，保证碳纳米管阵列与发热芯片接触；

f. 将导热银胶冷却固化，使其与发热芯片相连，即获得了一种基于碳纳米管阵列的高效芯片散热结构，通过该结构对发热芯片进行及时散热。

2.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法，其特征在于：所述热沉基底的材质为Si、Cu或Al。

3.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法，其特征在于：所述Fe膜的厚度为0.5~1.5 nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于碳纳米管阵列的芯片散热方法，其特征在于：所述发热芯片为LED发热芯片。