[发明专利]一种台阶结构的高亮度发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201310064481.8 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103165770A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 童小春 | 申请（专利权）人： | 溧阳市宏达电机有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 台阶 结构 亮度 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：
（1）在蓝宝石衬底上外延生长低温缓冲层，
（2）在低温缓冲层上淀积n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层；
（3）在n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层上首先淀积n-Al0.05In0.05Ga0.9N多量子阱层，然后再在该n-Al0.05In0.05Ga0.9N多量子阱层上淀积n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层，如此反复交替淀积所述n-Al0.05In0.05Ga0.9N多量子阱层和n-AI0.05In0.05Ga0.9P多量子阱层，共8-15次，优选为10次，从而形成第一多量子阱层；
（4）完成步骤（3）后，在所述第一多量子阱层上依次淀积p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的In0.05Ga0.95N层；
（5）在p型掺杂的In0.05Ga0.95N层上首先淀积p-In0.1Ga0.95N多量子阱层，然后再在该p-In0.1Ga0.95N多量子阱层上淀积p-In0.1Ga0.95P多量子阱层，如此反复交替淀积所述p-In0.1Ga0.95N多量子阱层和p-In0.1Ga0.95P多量子阱层，共15-25次，优选为20次，从而形成第二多量子阱层；
（6）完成步骤（5）后，采用光刻工艺，在垂直方向上将所述第一多量子阱层、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的In0.05Ga0.95N层以及第二多量子阱层的一部分去除，从而在所述n型掺杂的Al0.05In0.05Ga0.9N层上形成台阶；
（7）在所述台阶以及所述第二多量子阱层的表面上淀积透明金属；从而分别形成第一透明金属层和第二透明金属层；
（8）溅射金属材料以在所述第一金属层上形成p电极，在所述第二金属层上形成n电极。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：
其中，所述第一透明金属层和所述第二透明金属层的材料为ITO。
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