[发明专利]一种双掺杂白光LED用复合荧光材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201310064262.X | 申请日: | 2013-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN103113890A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 杨维清;林媛;黄莉;徐国梁;王策;赵博文 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学;成都信息工程学院 |
| 主分类号: | C09K11/69 | 分类号: | C09K11/69 |
| 代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德;王睿 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掺杂 白光 led 复合 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于功能材料技术领域,涉及白光发光二极管(LED)用荧光粉及其制备方法。
背景技术
复合荧光材料是利用两种或两种以上不同荧光基质材料,利用物理或化学手段,组成具有新的发光性能的荧光材料。两种不同基质基团形成独特的晶体结构,使得发光中心离子的对称性产生畸变以改变发光中心离子的晶体场,从而调控发光性能。近年来,随着各种波长LED芯片性能的不断完善,为白光LED用荧光粉提供了新的发展空间。因此,白光LED用荧光粉成为近年来荧光粉的研究热点。文献1(S.Neeraj,N.Kijima,A.K.Cheetham,Novel red phosphors for solid-state lighting:the system NaM(WO4)2-x(MoO4)x:Eu3+(M=Gd,Y,Bi),Chemical Physics Letters387(2004)2-6)和文献2(An Xie,Ximing Yuan,Yu Shi,Fengxiang Wang,JuanJuan Wang,Photoluminescence characteristics of energy transfer between Eu3+and Bi3+in LiEu1-xBix(WO4)0.5(MoO4)1.5,J.Am.Ceram.Soc.92(2009)2254-2258)分别报道了利用MoO4和WO4基团形成畸变结构研制了新型复合荧光材料,然而他们都是利用同族基团(MoO4和WO4)形成畸变晶体结构,结构变化不是很大,光谱可控性不是太好。
钒酸盐和钼酸盐基质都是性能优良的白光LED用荧光粉的发光基质材料。钒酸盐基质和钼酸盐基质发光材料因具有合成温度较低、化学稳定性和热稳定性较好、发光强度高等优点而在显示显像、高压汞灯、X射线增感屏以及激光材料等领域得到广泛的应用。而利用MoO4和VO4基团形成复合荧光材料,引入双发光中心来实现白光LED的复合发光材料几乎没有报道,而同时具有上转换和下转换特性的荧光材料更为少见。
发明内容
本发明提供一种紫外和红光双模式激发双掺杂的LED用复合荧光材料及其制备方法,所述紫外(350nm)和红光(690nm)双模式激发白光双掺杂LED用Na0.25-x-ySr1.75(MoO3)2-z(VO4)z:EuxNdy复合荧光材料具有较强的发光强度和较高的显色性能。尤其是能被690nm有效激发。本发明采用高温固相法制备紫外和红光双模式激发白光双掺杂LED用Na0.25-x-ySr1.75(MoO3)2-z(VO4)z:EuxNdy复合荧光材料,在800℃~1000℃的温度下烧结,让碳酸根离子充分分解,结晶性更强,并使掺杂离子充分进入基质晶格以取代Sr2+离子能够有效减少烧结时间,降低荧光粉的生产成本并提高荧光粉体的发光性能。
本发明技术方案是:
一种双掺杂白光LED用复合荧光材料,为一种掺Eu3+离子和Nd3+离子的粉体材料,其晶向结构为三斜晶向,其分子式可表示Na0.25-x-ySr1.75(MoO3)2-z(VO4)z:EuxNdy,其中0.02≤x≤0.16,0.02≤y≤0.08,0≤z≤2。
上述双掺杂白光LED用复合荧光材料,具有紫外和红光双模式激发特性,能够在紫外光(350nm)或红光(690nm)激发下发白光。
上述双掺杂白光LED用复合荧光材料的制备方法,包括以下步骤:
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