[发明专利]焊料糊剂、半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201310063995.1 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103692105A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 木山朋纪;田中轨人;柏木利典;白鸟刚 | 申请(专利权)人: | 旭化成电子材料株式会社 |
主分类号: | B23K35/24 | 分类号: | B23K35/24;H01L21/48;H01L23/492 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焊料 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种焊料糊剂,其为包含以下成分的焊料糊剂:
(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒,该Sn合金颗粒含有Sn和选自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au组成的组中的至少一种金属、并且具有低于240℃的熔点;
(2)Ni合金颗粒,其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔点;和
(3)助熔糊,
相对于100质量份的该(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒,该焊料糊剂含有15质量份~42质量份的该(2)Ni合金颗粒。
2.根据权利要求1所述的焊料糊剂,其中,所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒以及所述(2)Ni合金颗粒中的Pb的含有率分别为0.1质量%以下。
3.根据权利要求1或2所述的焊料糊剂,其中,所述助熔糊含有多元羧酸。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的焊料糊剂,其中,所述(2)Ni合金颗粒含有20质量%~99质量%的Ni和1质量%~80质量%的Sn。
5.一种金属面保护基板的制造方法,其包括以下工序:
将权利要求1~4中任一项所述的焊料糊剂涂布到具有金属面的材料的工序;和
在比所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒的熔点高、并且比所述(2)Ni合金颗粒的熔点低的温度下对该焊料糊剂进行热处理,在该金属面上连续且以均匀的厚度形成焊料层的工序,所述焊料层是在由所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒形成的基质中分散有所述(2)Ni合金颗粒而成的。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述金属面含有选自由Ag、Cu、Ni、Au和Fe组成的组中至少一种金属。
7.根据权利要求5或6所述的方法,其中,所述(2)Ni合金颗粒的表面被金属间化合物覆盖。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述金属间化合物含有Ni-Sn或Ni-Sn-In。
9.一种金属面保护基板,其通过权利要求5~8中任一项所述的方法制造。
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