[发明专利]焊料糊剂、半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201310063995.1 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103692105A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 木山朋纪;田中轨人;柏木利典;白鸟刚 申请(专利权)人: 旭化成电子材料株式会社
主分类号: B23K35/24 分类号: B23K35/24;H01L21/48;H01L23/492
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 焊料 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种焊料糊剂,其为包含以下成分的焊料糊剂:

(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒,该Sn合金颗粒含有Sn和选自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au组成的组中的至少一种金属、并且具有低于240℃的熔点;

(2)Ni合金颗粒,其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔点;和

(3)助熔糊,

相对于100质量份的该(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒,该焊料糊剂含有15质量份~42质量份的该(2)Ni合金颗粒。

2.根据权利要求1所述的焊料糊剂,其中,所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒以及所述(2)Ni合金颗粒中的Pb的含有率分别为0.1质量%以下。

3.根据权利要求1或2所述的焊料糊剂,其中,所述助熔糊含有多元羧酸。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的焊料糊剂,其中,所述(2)Ni合金颗粒含有20质量%~99质量%的Ni和1质量%~80质量%的Sn。

5.一种金属面保护基板的制造方法,其包括以下工序:

将权利要求1~4中任一项所述的焊料糊剂涂布到具有金属面的材料的工序;和

在比所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒的熔点高、并且比所述(2)Ni合金颗粒的熔点低的温度下对该焊料糊剂进行热处理,在该金属面上连续且以均匀的厚度形成焊料层的工序,所述焊料层是在由所述(1)Sn颗粒或者Sn合金颗粒形成的基质中分散有所述(2)Ni合金颗粒而成的。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述金属面含有选自由Ag、Cu、Ni、Au和Fe组成的组中至少一种金属。

7.根据权利要求5或6所述的方法,其中,所述(2)Ni合金颗粒的表面被金属间化合物覆盖。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述金属间化合物含有Ni-Sn或Ni-Sn-In。

9.一种金属面保护基板,其通过权利要求5~8中任一项所述的方法制造。

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