[发明专利]静电卡盘无效
| 申请号: | 201310063346.1 | 申请日: | 2013-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN103325725A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
| 发明(设计)人: | 成珍一;吴致源;杨镇喆;芮庚焕 | 申请(专利权)人: | 高美科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 卡盘 | ||
技术领域
本发明涉及静电卡盘,更详细地说是通过静电力来用于载置衬底的静电卡盘。
背景技术
通常,在使用玻璃基板等的集成电路元件的制造中会执行利用等离子的蚀刻工序等。此处,利用等离子的蚀刻工序等的执行中,会通过利用静电力的静电卡盘来载置玻璃衬底等。特别是,所述静电卡盘,具备有凸起部,从载置玻璃衬底等的载置表面凸起。如上所述,具备凸起部是为了引导冷却气体更加容易地在玻璃衬底等的背面流动,从而来防止在执行蚀刻工序等时的温度上升。
此外,日本专利公开2008-160093号(以下,称之为“引用文献1”)、韩国专利公开2002-66198号(以下,称之为“引用文献2”)等中,公开了具备有所述凸起部的静电卡盘的一例。
根据引用文献1,是通过执行使用氧化钇的气雾沉积(aerosol deposition)来形成所述凸起部。此处,进行气雾沉积时,因为很难进行大面积沉积,因此存在不容易形成用于载置玻璃衬底等的大面积用静电卡盘的凸起部。此外,因为凸起部是由硬度小于玻璃衬底硬度的氧化钇构成,因此会导致与玻璃衬底背面接触时,存在频繁地发生凸起部自身容易磨损的状况的缺点。
根据引用文献2,凸起部是利用氧化铝等来形成。特别是,如引用文献2所述的凸起部,在利用氧化铝等来形成时,因为氧化铝的硬度大于玻璃衬底的硬度,因此在与玻璃衬底背面接触时,存在会对玻璃衬底背面发生划痕的缺点。
发明内容
(要解决的技术问题)
本发明的目的在于提供静电卡盘,几乎不对玻璃衬底等产生损伤且具备耐久性等优秀的凸起部。
(解决问题的手段)
为了达成所述目的,根据本发明的一实施例的静电卡盘,包括:基底基材;陶瓷绝缘层,形成于所述基底基材上;电极层,形成于所述陶瓷绝缘层上来用于发生静电力;电介质层,形成于所述电极层上,具有载置衬底的表面;及凸起部,从所述电介质层的表面凸起,所述电介质层是由氧化铝构成,所述凸起部是由包括铝及钇的非晶相的氧化物构成。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部可以具有500至700Hv的硬度。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部具有半球形结构,并可以从所述电介质层的表面凸起1至200μm。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部可以具有0.1至2.0%的气孔率。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部是由包括30至50%的氧化铝及50至70%的氧化钇的原料粉末形成的非晶相的氧化物构成。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部可以具有4至7μm的表面粗糙度。
提及到的根据本发明的一实施例的静电卡盘中,所述凸起部可以通过大气等离子热喷涂涂层来形成。
(发明的效果)
根据如上所述的本发明,包括载置玻璃衬底等的电介质层的载置表面及从载置表面凸起的凸起部,特别是凸起部由包括铝及钇的非晶相的氧化物构成。
如上所述,因为凸起部是由包括铝及钇的非晶相的氧化物构成,因此即使与玻璃衬底背面接触也可以防止玻璃衬底背面上发生划痕等,此外,即使凸起部与玻璃衬底背面接触也可以防止容易磨损的状况。
与此同时,因为凸起部是由包括耐等离子性优秀的钇的非晶相的氧化物构成,因此可以延长在蚀刻过程中的因等离子导致的静电卡盘的使用寿命。此外,因为凸起部是由包括极具价格竞争力的铝的非晶相的氧化物构成,因此可以削减静电卡盘的制造成本。
特别是,将凸起部形成为具有约0.1至2%的气孔率,从而可以确保对于物理冲击等的凸起部耐久性更加优秀。
附图说明
图1是示意性地表示根据本发明的一实施例的静电卡盘的剖视图。
图2是为了确认使用图1的静电卡盘来载置玻璃衬底时的玻璃衬底背面所受的损伤的照片。
图3是为了确认使用以往的静电卡盘来载置玻璃衬底时的玻璃衬底背面所受的损伤的照片。
图4是为了确认对于图1的静电卡盘的凸起部的气孔率的照片。
图5是为了确认对于以往的静电卡盘的凸起部的气孔率的照片。
图6是为了说明对于图1的静电卡盘的凸起部的耐等离子性的图表。(附图标记说明)
10:基底基材 12:绝缘层
14:电极层 16:电介质层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





