[发明专利]一种鳍型PIN二极管

权利要求书

1.一种鳍型PIN二极管，其特征在于：

所述PIN二极管具有衬底;

N+掺杂层，其在衬底上形成；

N-掺杂层，其在N+掺杂层上形成；绝缘层，其在N-掺杂层上形成；

本征半导体层，其覆盖绝缘层的部分表面，并包围所述N-掺杂层；

P-掺杂层，其覆盖绝缘层的部分表面并包围所述本征半导体层；

P+掺杂层，其覆盖绝缘层的部分表面并包围所述P-掺杂层。

2.如权利要求1所述的鳍型PIN二极管，其特征在于：

所述N+掺杂层由在衬底的表面上横向生长的部分以及突出该横向生长部分的鳍型部分共同构成，以形成倒T型结构；

所述N-掺杂层包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖N+掺杂层的横向生长部分，所述第二部分覆盖N+掺杂层的鳍型部分；

所述绝缘层在N-掺杂层的第一部分上形成。

3.如权利要求1或2所述的鳍型PIN二极管，其特征在于：

N+掺杂层的掺杂浓度大约为1×10¹⁹cm^-3至1×10²¹cm^-3之间；N-掺杂层的掺杂浓度大约为5×10¹⁵cm^-3至5×10¹⁶cm^-3之间；P-掺杂层的掺杂浓度大约为：1×10¹⁵cm^-3至1×10¹⁶cm^-3之间；P+掺杂层的掺杂浓度大约为：5×10¹⁸cm^-3至1×10²⁰cm^-3之间。

4.如权利要求1-3任意之一所述的鳍型PIN二极管，其特征在于：

所述N+掺杂层、N-掺杂层、本征半导体层、P-掺杂层以及P+掺杂层由相同的半导体材料构成，例如硅或锗。