[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的栅电极；

位于所述栅电极上的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的有源层，所述有源层包括沟道并且由非晶硅形成；

位于所述有源层上的欧姆接触层，所述欧姆接触层接触所述有源层；以及

通过所述欧姆接触层而分别与所述有源层的两侧连接的源电极和漏电极，

其中所述栅绝缘层包括位于所述有源层附近的磷掺杂层，

其中所述磷掺杂层具有与所述有源层的沟道相同的面积，并且接触所述有源层的沟道。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中从栅绝缘层的表面起测量，所述磷掺杂层的厚度等于或者小于

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述磷掺杂层中包含的磷掺杂浓度为10¹⁷至10²¹/cm³。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括与所述源电极和漏电极之一连接的像素电极。

5.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括：

在基板上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上掺杂磷，以形成磷掺杂层；

在所述栅绝缘层上形成有源层和欧姆接触层，所述有源层由非晶硅形成，所述欧姆接触层接触所述有源层；以及

形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极通过所述欧姆接触层而分别与所述有源层的两侧连接，

其中所述磷掺杂层具有与所述有源层的沟道相同的面积，并且接触所述有源层的沟道。

6.如权利要求5所述的方法，其中从栅绝缘层的表面起测量，所述磷掺杂层的厚度等于或者小于

7.如权利要求5所述的方法，其中所述磷掺杂层中包含的磷掺杂浓度为10¹⁷至10²¹/cm³。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述有源层和所述欧姆接触层是使用半色调掩模形成的。

9.如权利要求5所述的方法，还包括形成与所述源电极和漏电极之一连接的像素电极。