[发明专利]具有失真后模式和高增益模式的低噪声放大器及其控制方法

权利要求书

1.一种差动低噪声放大器(LNA)，其接收所要信号，所述LNA包含：

第一晶体管，其偏置于饱和区域中，其中所述第一晶体管产生所述所要信号的第一放大版本和第一失真信号；

第二晶体管，其偏置于所述饱和区域中，其中所述第二晶体管产生所述所要信号的第二放大版本和第二失真信号；

第三晶体管；

第四晶体管；以及

用于将所述第一、第二、第三和第四晶体管配置在一起以使得所述LNA操作于两种模式中的可选一者中的装置，其中在所述两种模式中的第一者中，失真后消除用以消除所述第一和第二失真信号中的至少一些，且其中在所述两种模式中的第二者中，所述第三晶体管产生所述所要信号的第三放大版本，所述第三放大版本与所述所要信号的所述第一放大版本同相并与所述所要信号的所述第一放大版本相加，且其中在所述两种模式中的所述第二者中，所述第四晶体管产生所述所要信号的第四放大版本，所述第四放大版本与所述所要信号的所述第二放大版本同相并与所述所要信号的所述第二放大版本相加。

2.根据权利要求1所述的LNA，其中所述装置包含第一多路复用器和第二多路复用器，其中所述第一多路复用器的输出引线电容性地耦合到所述第三晶体管的栅极，且其中所述第二多路复用器的输出引线电容性地耦合到所述第四晶体管的栅极。

3.根据权利要求1所述的LNA，其中所述装置包含第一多路复用器和第二多路复用器，其中所述第一多路复用器的输出引线耦合到所述第三晶体管的漏极，且其中所述第二多路复用器的输出引线耦合到所述第四晶体管的漏极。

4.根据权利要求1所述的LNA，其中在所述第一模式中，所述第三晶体管的栅极电容性地耦合到所述第一晶体管的漏极，其中在所述第一模式中，所述第四晶体管的栅极电容性地耦合到所述第二晶体管的漏极，其中在所述第二模式中，所述第三晶体管的所述栅极电容性地耦合到所述第二晶体管的所述漏极，且其中在所述第二模式中，所述第四晶体管的所述栅极电容性地耦合到所述第一晶体管的所述漏极。

5.根据权利要求1所述的LNA，其中所述LNA接收数字逻辑信号，其中如果所述数字逻辑信号具有第一数字逻辑值，则所述LNA被配置于所述第一模式中，而如果所述数字逻辑信号具有第二数字逻辑值，则所述LNA被配置于所述第二模式中。

6.一种方法，其包含：

提供可配置以操作于两种模式中的可选一者中的低噪声放大器(LNA)，其中在第一模式中，所述LNA采用失真后消除技术以消除在所述LNA中产生的失真，其中当所述LNA正操作于所述第一模式中时，所述LNA展现信号第一增益，其中在第二模式中，所述LNA具有高于所述第一增益的第二增益，且其中在所述第二模式中，与所述LNA正操作于所述第一模式中时其线性情况相比，所述LNA不够线性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述LNA包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，其中如果所述LNA正操作于所述第一模式中，则所述第三晶体管的栅极电容性地耦合到所述第一晶体管的漏极且所述第四晶体管的栅极电容性地耦合到所述第二晶体管的漏极，其中如果所述LNA正操作于所述第二模式中，则所述第三晶体管的所述栅极电容性地耦合到所述第二晶体管的漏极且所述第四晶体管的栅极电容性地耦合到所述第一晶体管的漏极。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述LNA包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，其中如果所述LNA正操作于所述第一模式中，则所述第三晶体管的漏极耦合到所述第一晶体管的漏极且所述第四晶体管的漏极耦合到所述第二晶体管的漏极，其中如果所述LNA正操作于所述第二模式中，则所述第三晶体管的所述漏极电容性地耦合到所述第二晶体管的漏极且所述第四晶体管的漏极电容性地耦合到所述第一晶体管的漏极。

9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含：

提供用于接收控制信息的机构，其中如果所述控制信息具有第一值，则所述LNA经配置以操作于所述第一模式中，而如果所述控制信息具有一值，则所述LNA经配置以操作于所述第二模式中。