[发明专利]介电体陶瓷组合物以及电子部件

说明书

技术领域

本发明涉及介电体陶瓷组合物以及将该介电体陶瓷组合物应用于介电体层的电子部件。更为详细来说，涉及高电场强度下的特性良好的介电体陶瓷组合物以及将该介电体陶瓷组合物应用于介电体层并具有电极的电子部件。

背景技术

近年来，对于电子部件的高性能化的要求较高。例如，作为电子部件的一个例子的层叠陶瓷电容器的小型·高性能化急速地发展，伴随于此的用途也在扩大。其结果，对于这样的电容器来说，要求各种各样的特性。

一直以来，对于这样的电容器等的电子部件的介电体层来说，多使用钛酸钡等显示铁电性（ferroelectricity）的陶瓷组合物（铁电体（ferroelectrics））。

然而，在具有由铁电体构成的介电体层的电子部件在高额定电压下进行使用的情况下，即在高电场强度下进行使用的情况下，会产生起因于陶瓷组合物的铁电性的各种各样的问题。

例如，随着电场强度变高，介电常数急剧降低，其结果，会有使用环境下的有效容量降低等的问题。另外，会有产生起因于电致伸缩的裂纹或声响的问题，还会有相对于温度的容量变化率的恶化等的问题。

因此，要求即使是在电场强度高的情况下（例如，直流电压施加时），也具有良好的特性（例如，介电常数）的介电体陶瓷组合物。

再有，对于提高电子部件的可靠性来说，需要介电体陶瓷组合物具备高的绝缘电阻。例如，通过控制烧成气氛，从而能够控制绝缘电阻，但是会有设备上的问题或工序增加等的问题。因此，要求不需要气氛调整等而利用在简单的空气中的烧成来具有高的绝缘电阻的介电体陶瓷组合物。

但是，在下述的文献1中，记载有使稀土类元素固溶于具有钨青铜结构的BaNb₂O₆的化合物。

文献1：Kunio Masuno,‘X-Ray and Dielectric Studies of the Systems (Ba_1-xR_2x/3)Nb₂O₆,Where R is Y,Sm or La’,Journal of the Physical Society of Japan,1964,Vol.19,No.3,p.323-328

发明内容

本发明是有鉴于这样的实际状况而完成的发明，其目的在于，提供高电场强度下的特性良好且在空气中的烧成时能够获得良好的电阻率的介电体陶瓷组合物以及将该介电体陶瓷组合物应用于介电体层并具有电极的电子部件。

为了达到上述目的，本发明所涉及的介电体陶瓷组合物具备以通式{A_1-x（RE）_2x/3}_y-B₂O_5+y进行表示并具有钨青铜结构的化合物，所述A是选自Ba、Ca、Sr以及Mg中的至少一个，所述B是选自Nb以及Ta中的至少一个，所述RE是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一个，所述x以及y满足0＜x＜1、y＞1.000的关系。

在本发明中，在具有钨青铜结构的上述的化合物中，将表示“A”元素以及“RE”元素与“B”元素的摩尔比的“y”设定为大于1.000。通过如此调整从而该化合物在空气中的烧成中显示良好的电阻率，所以能够获得绝缘电阻高的介电体陶瓷组合物。

还有，上述的化合物在电场强度低的情况（例如，未施加直流电压的情况）下，介电常数相对低。然而，因为该化合物具有顺电性（paraelectric），所以与钛酸钡等的铁电体不同，即使电场强度变高，介电常数也基本上不降低。因此，本发明的介电体陶瓷组合物在高电场强度下显示出比铁电体更良好的特性（例如，介电常数）。

优选进一步具有选自V、Mo、Fe、W、Mn以及Cr中的至少一个的氧化物。

通过如此调整从而能够进一步提高电阻率。

另外，本发明所涉及的电子部件具有由上述的任意一个方式所记载的介电体陶瓷组合物构成的介电体层以及电极。作为电子部件，并没有特别的限定，优选在高额定电压下使用的电子部件。作为这样的电子部件，可以例示层叠陶瓷电容器等的表面安装（SMD）芯片型电子部件。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的截面图。

具体实施方式

以下，基于附图所示的实施方式，说明本发明。

（层叠陶瓷电容器1）