[发明专利]接触时间长的微机电万向惯性开关及其制造方法

权利要求书

1.一种接触时间长的微机电万向惯性开关，它包括上、下盖板和硅片中间结构层，其特征是：所说的上盖板是硅质板；硅片中间结构层是，以锚点为圆心向外依次是环形质量框、环形外电极和锚区，锚区呈外方内圆的平面框架形，其中锚区和锚点和上、下盖板键合，四个外弹簧呈十字形布置，每个外弹簧的两端分别固定在锚区和环形外电极之间，四个内弹簧呈十字形布置，每个内弹簧的两端分别固定在环形质量框和锚点上。

2.制造权利要求1所述的接触时间长的微机电万向惯性开关，其特征是：

a)在中间结构层硅片上热氧化生成5000?的二氧化硅层，用M2版做掩膜，光刻结构层硅片，作为ICP掩蔽层；结构层硅片背面ICP浅刻蚀，刻蚀深度5um，去胶清洗，待静电键合；

b)用M1版作掩膜光刻玻璃片，腐蚀Prex7740玻璃1800?；溅射Ti (400?)-Pt (400?)-Au (1200?)，利用光刻胶剥离制作金属电极，去胶清洗；

c)硅片图形与玻璃电极图形对准静电键合；硅片减薄抛光至60um；

d)用M3版作掩膜光刻，ICP释放结构；

e)在盖板硅片上热氧化生成2um ?的二氧化硅层，用M4版做掩膜，光刻盖板硅片正面，作为KOH腐蚀掩蔽层，KOH腐蚀深度200um；用M5版做掩膜，光刻盖板硅片背面，作为KOH腐蚀掩蔽层，KOH双面腐蚀深度100um； 

f)盖板和结构层BCB键合；ICP刻蚀PAD点。