[发明专利]新型PSS基版结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型PSS基版结构，其特征在于，所述PSS基板的表面呈凹凸不平状。

2.根据权利要求1所述的PSS基版结构，其特征在于，所述PSS基板的表面具有两个以上的多阶梯结构孔洞或沟渠。

3.根据权利要求1所述的PSS基版结构，其特征在于，所述PSS基板的表面具有两个以上的多阶梯状凸出结构。

4.根据权利要求1所述的PSS基版结构，其特征在于，所述PSS基板的表面具有凸起锯齿状结构。

5.根据权利要求2所述的新型PSS基版结构的制作方法，其特征在于，透过多段交叉式蚀刻方法或透过半色调光刻版的方法，制作出表面具有多阶梯结构孔洞或沟渠的PSS基板，具体如下：

所述多段交叉式蚀刻方法，具体是先进行第一阶段的干蚀刻制程，再透过氧电浆进行光刻胶灰化，将一部分的光刻胶灰化，把未蚀刻的蓝宝石基版裸露出0.1~2 um，然后再进行第二阶段乾蚀刻制程，透过蚀刻和氧电浆进行光刻胶灰化制程的交叉搭配，即可将蓝宝石基版，吃出具有多个阶梯结构的孔洞或沟渠的PSS 基版；

所述透过半色调光刻版方法，具体是用半色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为多阶梯状图型，蚀刻和去胶后成为多阶梯结构的孔洞或沟渠的PSS基版。

6.根据权利要求3所述的新型PSS基版结构的制作方法，其特征在于，透过多段交叉式蚀刻方法或透过半色调光刻版方法，制作出表面具有多阶梯状凸出结构的PSS基板，具体如下：

所述多段交叉式蚀刻方法，具体是先进行第一阶段的干蚀刻制程，再透过氧电浆进行光刻胶灰化，将一部分的光刻胶灰化，把未蚀刻的蓝宝石基版裸露出0.1~2 um，然后再进行第二阶段乾蚀刻制程，透过蚀刻和氧电浆进行光刻胶灰化制程的交叉搭配，即可将蓝宝石基版，吃出具有多阶梯状凸出结构的 PSS 基版；

所述透过半色调光刻版方法，具体是用半色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为多阶梯状图型，蚀刻和去胶后成为多阶梯状凸出结构的 PSS 基版。

7.根据权利要求4所述的新型PSS基版结构的制作方法，其特征在于，透过灰色调光刻版方法，制作出表面具有凸起锯齿状结构的PSS基板，具体如下：用灰色调光刻版进行曝光制程，将光刻胶曝光显影为凸起锯齿状图型，蚀刻和去胶后成为具有凸起锯齿状结构的 PSS 基版。