[发明专利]纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法有效

专利信息
申请号: 201310062552.0 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN103145092A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 纳米 刻蚀 印章 利用 进行 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米刻蚀印章,其特征在于,包括:

印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;

保护层,至少形成于所述印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及

金属催化层,至少形成于所述反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。

2.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述印章体的材料为磁性材料。

3.根据权利要求2所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述磁性材料为铁、钴或镍。

4.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述保护层的材料为聚对二甲苯、六甲基硅氧烷或聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料为金或铂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述衬底为:硅衬底、锗衬底或氮化镓衬底,所述腐蚀液为对该衬底对应的腐蚀液。

7.根据权利要求6所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述衬底为硅衬底,所述腐蚀液为氢氟酸溶液。

8.一种利用权利要求1至7中任一项所述的纳米刻蚀印章进行纳米刻蚀的方法,其特征在于,包括:

配置待刻蚀衬底的腐蚀液;

将待刻蚀衬底平浸入所述腐蚀液中;

将所述纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片上,所述纳米刻蚀印章的金属催化层与待刻蚀衬底的表面相接触;以及

刻蚀所述待刻蚀衬底至预设深度,将所述纳米刻蚀印章和待刻蚀衬底从腐蚀液中取出。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述印章体的材料为磁性材料;

所述将纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片的步骤之前还包括:在腐蚀液容器底面的下方放置磁体;

所述将纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片上的步骤中,磁性材料的印章体与磁体产生磁力作用,以使金属催化层与待刻蚀衬底紧密接触。

10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述刻蚀所述待刻蚀衬底至预设深度的步骤中,通过控制腐蚀时间来控制腐蚀深度。

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