[发明专利]纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法有效
申请号: | 201310062552.0 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103145092A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 裴为华;陈三元;归强;陈弘达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 刻蚀 印章 利用 进行 方法 | ||
1.一种纳米刻蚀印章,其特征在于,包括:
印章体,其底面具有待加工纳米图形的反相图形;
保护层,至少形成于所述印章体与腐蚀液接触部分的表面,其材料为抗腐蚀液的材料;以及
金属催化层,至少形成于所述反相图形与待刻蚀衬底接触部分的保护层上,其材料为可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料。
2.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述印章体的材料为磁性材料。
3.根据权利要求2所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述磁性材料为铁、钴或镍。
4.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述保护层的材料为聚对二甲苯、六甲基硅氧烷或聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述可催化腐蚀液与待刻蚀衬底反应的材料为金或铂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述衬底为:硅衬底、锗衬底或氮化镓衬底,所述腐蚀液为对该衬底对应的腐蚀液。
7.根据权利要求6所述的纳米刻蚀印章,其特征在于,所述衬底为硅衬底,所述腐蚀液为氢氟酸溶液。
8.一种利用权利要求1至7中任一项所述的纳米刻蚀印章进行纳米刻蚀的方法,其特征在于,包括:
配置待刻蚀衬底的腐蚀液;
将待刻蚀衬底平浸入所述腐蚀液中;
将所述纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片上,所述纳米刻蚀印章的金属催化层与待刻蚀衬底的表面相接触;以及
刻蚀所述待刻蚀衬底至预设深度,将所述纳米刻蚀印章和待刻蚀衬底从腐蚀液中取出。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述印章体的材料为磁性材料;
所述将纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片的步骤之前还包括:在腐蚀液容器底面的下方放置磁体;
所述将纳米刻蚀印章压在待刻蚀硅片上的步骤中,磁性材料的印章体与磁体产生磁力作用,以使金属催化层与待刻蚀衬底紧密接触。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述刻蚀所述待刻蚀衬底至预设深度的步骤中,通过控制腐蚀时间来控制腐蚀深度。
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