[发明专利]基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其为氧化镍膜、光敏膜、氟化锂膜和铝膜的制作和封装，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先将氧化镍块体靶材和透明导电基底分别置于射频磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，其中，氧化镍块体靶材与透明导电基底的间距为8～12cm，再待真空室的真空度≤1×10^-4Pa后，使真空室处于压强为1～5Pa的氩气氛或氩氧混合气氛下，溅射5～30min，得到其上覆有氧化镍膜的透明导电基底；

步骤2，先按照重量比为0.9～1.1：0.7～0.9：98～102的比例，将聚（3-己基噻吩）、[6,6]-苯基-C₆₁-丁酸甲酯和氯苯在惰性气氛中混合后，置于55～65℃下搅拌至少12h，得到光敏涂料，再于惰性气氛下将光敏涂料涂敷于其上覆有氧化镍膜的透明导电基底上后，对其进行退火处理，得到其上依次覆有氧化镍膜和光敏膜的透明导电基底；

步骤3，先对其上依次覆有氧化镍膜和光敏膜的透明导电基底使用电子束蒸发法于其表面依次蒸镀厚度为0.5～2nm的氟化锂膜和厚度为100nm的铝膜，再将其置于惰性气氛中完成封装，制得氧化镍膜厚为5～50nm的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是于透明导电基底上溅射氧化镍膜之前，先将其经丙酮、乙醇和去离子水超声清洗后用氮气吹干。

3.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是透明导电基底为导电玻璃，或导电薄膜。

4.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是氩氧混合气氛为体积比为1:0.1～0.5的氩气和氧气的混合气体。

5.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是磁控溅射时的溅射功率为100～150W。

6.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是涂敷为旋涂，旋涂时的转速为500～1500r/min、时间为60s。

7.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是退火处理时的温度为80～150℃、时间为5～60min。

8.根据权利要求1所述的基于氧化镍阳极界面层的有机半导体薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是蒸镀氟化锂膜和铝膜时的真空度≤1×10^-4Pa，蒸发速率为0.1～1?/s。