[发明专利]形成光伏器件的方法

权利要求书

1.一种形成光伏器件的方法，包括：

在衬底上沉积p型层；

通过将所述p型层的表面暴露到等离子体处理以与污染物反应，从而清洁所述p型层；

在所述p型层上形成本征层；以及

在所述本征层上形成n型层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述p型层和清洁的步骤都在相同的处理腔中进行。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述本征层和形成所述n型层的步骤都在与沉积所述p型层相同的处理腔中进行。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括使气体流过所述腔以与污染物反应。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理包括氟基气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟基气体包括在约0.6W/cm²或更小的功率下提供的三氟化氮等离子体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中清洁所述p型层包括从所述p型层去除污染物而不损坏所述p型层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述p型层包括采用乙硼烷气体来形成用于所述p型层的掺杂剂，以及所述方法还包括在形成所述本征层之前进行所述处理腔的氨净化。

9.一种形成光伏器件的方法，包括：

在衬底上沉积p型层；

在所述p型层上部分形成本征层；

通过将部分形成的本征层的表面暴露到等离子体处理以与污染物反应，从而清洁部分形成的本征层；

在所述p型层上完成所述本征层；以及

在所述本征层上形成n型层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述p型层和所述清洁的步骤都在相同的处理腔中进行。

11.根据权利要求10所述的方法，其中部分形成所述本征层、完成所述本征层和形成所述n型层的步骤在与沉积所述p型层相同的处理腔中进行。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括使气体流过所述腔以与污染物反应。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述等离子体处理包括氟基等离子体。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述氟基等离子体包括在约0.6W/cm²或更小的功率下提供的三氟化氮等离子体。

15.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述p型层包括采用乙硼烷气体来形成用于所述p型层的掺杂剂，以及所述方法还包括在完成所述本征层之前进行所述处理腔的氨净化。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述部分形成的本征层包括在约5nm和约20nm之间的厚度。

17.一种形成光伏器件的方法，包括：

利用乙硼烷作为掺杂剂气体，在衬底上沉积p型层；

通过等离子体处理以与污染物反应并去除污染物，从而清洁所述p型层；

在所述p型层上完成本征层；以及

在所述本征层上形成n型层，其中所有步骤在单一处理腔中进行。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括使气体流过所述腔以与污染物反应。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述等离子体处理包括氟基等离子体。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述氟基等离子体包括在约0.6W/cm²或更小的功率下提供的三氟化氮等离子体。

21.根据权利要求17所述的方法，其中清洁所述p型层包括从所述p型层去除污染物而不会显著蚀刻所述p型层。

22.根据权利要求17所述的方法，还包括在形成所述本征层之前进行所述处理腔的氨净化。

23.根据权利要求17所述的方法，还包括在所述清洁步骤之前在所述p型层上部分形成所述本征层。